La carrera por la infraestructura de Inteligencia Artificial suele medirse en GPU, interconexiones y centros de datos, pero cada vez más se decide en un terreno menos vistoso: la memoria y el almacenamiento. En ese contexto, Kioxia (junto a SanDisk, su socio industrial en flash) estaría preparando un movimiento que, de confirmarse, apunta directamente al corazón del “cuello de botella” de los despliegues a gran escala: adelantar la producción de su NAND 3D más avanzada.

Según un reporte de Nikkei citado por Tom’s Hardware, Kioxia prevé iniciar en 2026 la fabricación de su generación BiCS10, basada en un apilado de 332 capas, pese a que el plan anterior situaba ese salto en la segunda mitad de 2027. La misma información apunta a una estrategia de doble vía: BiCS10 se fabricaría en Fab 2 (Kitakami, prefectura de Iwate), mientras que BiCS9 —con 218 capas— quedaría para el complejo ya consolidado de Yokkaichi (prefectura de Mie), orientado a productos más “mainstream” y con mejor economía de fabricación.

Por qué este adelanto importa en clave de negocio

La lectura financiera es clara: si la demanda de almacenamiento “enterprise” y de alta densidad se acelera por el empuje de la IA, llegar antes con más bits por oblea puede marcar la diferencia entre capturar contratos (y márgenes) o quedarse compitiendo en segmentos presionados por precio.

El mercado viene avisando de tensiones. En un análisis publicado en octubre de 2025, Tom’s Hardware recoge que fabricantes y firmas de análisis están alertando de un escenario de estrechez en NAND y DRAM impulsado por el apetito de los centros de datos de IA, tras los recortes de producción aplicados durante la fase de sobreoferta previa. En otras palabras: el ciclo típico de memoria, amplificado por la IA y por límites de capacidad industrial.

En ese marco, adelantar una generación de NAND de alta densidad puede interpretarse como una apuesta por “asegurar volumen” en el tramo alto del mercado (SSD de gran capacidad, almacenamiento para servidores, plataformas cloud), donde el coste total de propiedad y la eficiencia energética pesan más que el precio unitario puro.

Qué aporta BiCS10 y por qué Kioxia habla de “nueva base” tecnológica

En lo técnico —y esto también afecta a la cuenta de resultados— el salto no es solo “más capas”. Kioxia ha comunicado avances concretos para su 10.ª generación de memoria flash 3D: 332 capas y una densidad de bits mejorada en torno a un 59% frente a la 8.ª generación, además de un incremento de velocidad de interfaz del 33%, junto con mejoras de rendimiento y eficiencia energética.

A nivel de arquitectura, la compañía viene impulsando un enfoque conocido como CBA (CMOS directamente unido al array), que separa la lógica periférica y la matriz de memoria para luego unirlas, buscando mejorar rendimiento y eficiencia. Este tipo de decisiones no son solo ingeniería: impactan en yields, complejidad de fabricación, tiempos de rampa y, por extensión, en márgenes.

La pieza industrial: Fab 2 en Kitakami entra en juego

Para que un adelanto a 2026 sea realista, la capacidad fabril debe acompañar. Kioxia ha anunciado que la construcción de su planta de fabricación de memoria flash (Fab 2) en Kitakami se completó y que su operación está prevista para el otoño de 2025, un dato que encaja con la idea de reservar esa instalación —más moderna— para nodos y productos de mayor exigencia como BiCS10.

Dicho de forma simple: si el mercado pide más densidad y más gigabytes por rack, la respuesta industrial pasa por fábricas más nuevas, mejor equipadas y con hojas de ruta que prioricen el “premium enterprise” antes que el volumen de bajo margen.

Riesgos y variables que un lector financiero no debería perder de vista

• Ejecución y yields: subir a 332 capas es un salto exigente. Si la rampa es más lenta de lo previsto, el mercado puede seguir tensionado y los contratos pueden desplazarse a competidores.
• Elasticidad de la demanda: el gasto en IA es fuerte, pero no infinito; un ajuste macro o un freno de CAPEX en hiperescalares reordena prioridades rápidamente.
• Competencia y disciplina de oferta: el historial del sector demuestra que, cuando varios actores amplían capacidad a la vez, la rentabilidad puede evaporarse en un par de trimestres.
• Eficiencia energética como argumento comercial: en data centers, “watts por TB” y densidad por rack ya no son métricas secundarias; si BiCS10 mejora el coste operativo, su propuesta de valor se sostiene incluso con un precio por chip superior.

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Preguntas frecuentes

¿Qué significa que una NAND tenga 332 capas y por qué es importante para inversores?
A mayor número de capas, más densidad de almacenamiento por chip (más bits por área), lo que puede mejorar la economía por oblea y permitir SSD de mayor capacidad, clave en centros de datos.

¿BiCS10 sustituirá a BiCS9 o convivirán?
La estrategia que se está describiendo apunta a convivencia: BiCS9 (218 capas) para segmentos más generalistas y BiCS10 (332 capas) para alta densidad y aplicaciones de mayor valor en enterprise y cloud.

¿Por qué la IA está empujando tanto el mercado de NAND y SSD?
Porque los despliegues de IA a gran escala no solo requieren cómputo: necesitan almacenar datasets, checkpoints, vectores y grandes volúmenes de información para inferencia y operación continua, elevando la demanda de flash y sistemas de almacenamiento.

¿Qué papel juega la fábrica de Kitakami en este movimiento?
Kitakami (Fab 2) es una instalación más nueva, con equipamiento reciente y con entrada en operación prevista para otoño de 2025, lo que la convierte en candidata natural para productos de máxima exigencia como BiCS10.

vía: KIOXIA America, Inc.