GlobalFoundries (GF) ha firmado un acuerdo de licencia tecnológica con TSMC para tecnologías de nitruro de galio (GaN) de 650 V y 80 V, con el objetivo de acelerar su nueva generación de dispositivos de potencia orientados a centros de datos, entornos industriales y automoción. La compañía fabricará estos productos en su planta de Burlington (Vermont), lo que añade capacidad GaN en territorio estadounidense para una base de clientes global.
Por qué importa: más eficiencia y densidad de potencia
A medida que el silicio CMOS clásico toca techo en aplicaciones de potencia, el GaN se ha consolidado como la alternativa para mejorar eficiencia, densidad y compacidad. En convertidores, cargadores rápidos, control de motores eléctricos o fuentes de alimentación de servidores, el GaN reduce pérdidas de conmutación y permite arquitecturas más compactas con mayor densidad de potencia, un factor clave en centros de datos y vehículos eléctricos. Con esta licencia, GF busca acortar tiempos de desarrollo y llevar a producción dispositivos GaN “listos para misión crítica”.
Qué incluye el acuerdo (y el calendario)
- Alcance tecnológico: procesos GaN de 650 V (alta tensión) y 80 V (baja/mediana tensión), orientados a vehículo eléctrico, renovables, cargadores rápidos y PSU de alto rendimiento para TI.
- Localización: calificación e industrialización en la fábrica de Burlington, Vermont, donde GF ya acumula experiencia en GaN-on-Silicon de alto voltaje.
- Hitos: desarrollo a inicios de 2026 y producción a finales de 2026, con un rampa pensada para clientes que requieran volumen y calidad automoción/industrial.
“Con esta tecnología probada aceleraremos el desarrollo de nuestra próxima generación de chips GaN y aportaremos soluciones diferenciadas para aplicaciones críticas, desde el centro de datos al automóvil o la fábrica”, ha señalado Téa Williams, vicepresidenta sénior del negocio de potencia en GF.
La pieza estratégica: GaN “made in USA” con licencia de TSMC
El movimiento encaja en una tendencia del sector: acuerdos de licencia que combinan IP de proceso consolidada con fabricación proximal al cliente. Para GF, significará:
- Time-to-market más corto: partir de una base tecnológica madura reduce iteraciones de proceso y acelera la calificación.
- Capacidad local: suministro en EE. UU. para aplicaciones que valoran cadena de suministro regional y cumplimiento (centro de datos, aeroespacial, automoción).
- Cartera GaN ampliada: productos de 650 V para etapas primarias y 80 V para etapas de baja tensión o aplicaciones de conversión point-of-load.
Para TSMC, el acuerdo monetiza su IP GaN y extiende su huella a través de un tercero en un mercado donde la demanda de potencia crece al calor de la IA, los vehículos eléctricos y la electrificación industrial.
Qué se espera en producto: de servidores a vehículos eléctricos
Aunque el comunicado no desvela die sizes ni cifras de rendimiento, por tipología de tensión y mercados objetivo cabe esperar:
- 650 V: transistores GaN para etapas PFC y conversores aislados en PSU de centros de datos, infraestructura de carga y inversores (renovables/industria).
- 80 V: dispositivos para DC-DC de alta eficiencia en placas servidor, conducción de motores y electrónica de potencia embarcada (vehículos, robótica).
- Ruggedización: GF subraya un enfoque “holístico” de fiabilidad (proceso, dispositivo y aplicación), imprescindible para automoción y entornos industriales.
Qué significa para centros de datos y la ola de IA
La explosión de la IA ha revalorizado cada vatio en la cadena de suministro TI: desde la entrada AC del CPD hasta el VRM que alimenta GPU/CPU. La adopción de GaN en etapas primarias y DC-DC se traduce en menos pérdidas, menos calor y fuentes más densas, habilitando racks más potentes en el mismo volumen. Para operadores, eso implica mejor PUE y más margen para densidades térmicas crecientes.
Implicaciones para automoción y renovables
- Automoción: en vehículos eléctricos, el GaN aparece en cargadores on-board, conversión auxiliar y, paulatinamente, en inversión de etapas intermedias, con el objetivo de aligerar peso y mejorar autonomía gracias a mayor eficiencia.
- Renovables/industria: convertidores e inversores más compactos y con mayor densidad simplifican cuadros eléctricos, reduciendo huella y costes de integración.
Riesgos y próximos pasos
Como toda transferencia de proceso, la calificación en una nueva línea conlleva retos: rendimientos (yield), variabilidad y confiabilidad a largo plazo (pruebas HTRB, HTOL, TC, etc.). GF dispone de historial GaN en Burlington, un factor que puede acortar la rampa. Si el calendario se cumple, los primeros productos comerciales deberían estar disponibles a finales de 2026.
Claves rápidas
- Qué ha pasado: GlobalFoundries licencia GaN de 650 V y 80 V de TSMC.
- Dónde se fabricará: Burlington (Vermont), con capacidad GaN en EE. UU. para clientes globales.
- Cuándo: desarrollo inicios de 2026, producción a finales de 2026.
- Para quién: centros de datos, industrial, automoción, renovables y carga rápida.
- Por qué GaN: más eficiencia y densidad de potencia allí donde el silicio CMOS ya no llega.
Preguntas frecuentes
¿Qué ventajas aporta GaN frente al silicio en fuentes de alimentación de centros de datos?
Principalmente menores pérdidas de conmutación, lo que permite frecuencias más altas, componentes magnéticos más pequeños, mayor densidad de potencia y, en consecuencia, mejor eficiencia y menor calor por rack.
¿Qué significa “GaN-on-Silicon”?
Es una heteroestructura donde el GaN se deposita sobre oblea de silicio. El silicio abarata y facilita diámetros mayores frente al GaN-on-SiC, aunque cada enfoque tiene su nicho según tensión y pérdidas objetivo.
¿Por qué fabricar en EE. UU. si la IP es de TSMC?
Para aportar proximidad al cliente (plazos, logística, cumplimiento) y diversificación geográfica de la capacidad de potencia, manteniendo al mismo tiempo una base tecnológica madura a través de la licencia.
¿Cuándo podrían verse los primeros módulos comerciales?
Si la calificación de proceso y la rampa de producción siguen el plan, GF prevé productos disponibles a finales de 2026 para datacenter, industria y automoción.
Fuentes:
— GlobalFoundries, comunicado oficial: “GlobalFoundries Licenses GaN Technology from TSMC to Accelerate U.S.-Manufactured Power Portfolio for Datacenter, Industrial and Automotive Customers”, 10/11/2025. Nota de prensa: Globenewswire
