El llamado “desacople” tecnológico entre China y Occidente acaba de sumar un nuevo capítulo. El análisis del nuevo SoC Kirin 9030 confirma que está fabricado por SMIC usando su nodo N+3, una evolución de su anterior N+2 (clase 7 nm) que, en la práctica, acerca a la fundición china a la escala de los 5 nm… pero sin usar litografía EUV, la pieza de equipamiento clave que los vetos estadounidenses han bloqueado.
No es aún un “5 nm” al nivel de TSMC o Samsung, pero sí una señal clara de que China sigue avanzando por su propia vía tecnológica, aunque sea a base de exprimir hasta el límite las herramientas DUV y complicarse la vida en fabricación.
Qué es N+3 y qué implica en el Kirin 9030
El Kirin 9030 es un procesador de aplicaciones de nueva generación, y todo apunta a que será el corazón de futuros móviles de gama alta de Huawei. Los análisis independientes coinciden en que se fabrica con el proceso N+3 de SMIC, descrito como una extensión escalada del nodo N+2 de 7 nm.
Dicho de forma sencilla:
- N+2 sería el “7 nm de SMIC”, ya visto en chips como el Kirin 9000S.
- N+3 lleva ese mismo proceso un paso más allá, reduciendo ciertas dimensiones críticas (sobre todo el pitch metálico) y aplicando optimizaciones de diseño (DTCO, design–technology co-optimization).
En términos de densidad de transistores y escalado físico, N+3 aún está por detrás de los nodos comerciales de 5 nm de TSMC o Samsung. Pero el salto es real: el chip integra más lógica en el mismo área y mejora la eficiencia respecto a los 7 nm anteriores de la propia SMIC.
La parte delicada es cómo lo logra: sin EUV.
5 nm “a la fuerza”: DUV y multipatronado extremo
Mientras TSMC y Samsung llevan años usando escáneres EUV (luz ultravioleta extrema) para sus procesos de 7, 5 y 3 nm, SMIC está vetada de este equipamiento. Eso le obliga a recurrir a litografía DUV (profunda) con técnicas de multipatronado muy agresivas:
- Más pasos de exposición y grabado por cada capa crítica.
- Alineamientos mucho más exigentes.
- Más variabilidad y riesgo de defectos por cada iteración.
El resultado es que N+3 puede alcanzar pitches metálicos y geometrías similares a los 5 nm de hace unos años, pero a costa de un proceso más complejo, más caro y potencialmente con peores rendimientos (yield).
Es precisamente ese escalado del metal —uno de los puntos donde SMIC parece haber apretado más— el que plantea dudas sobre la madurez del nodo. Cuantos más pasos se encadenan con DUV para sustituir a un único paso EUV, mayor es la probabilidad de que algo salga mal a escala de millones de chips.
Innovación real… y muchos retos por delante
A nivel técnico, N+3 demuestra varias cosas importantes:
- SMIC domina ya un nivel avanzado de patterning DUV, hasta el punto de poder competir, aunque sea parcialmente, con nodos comerciales de 5 nm en densidad.
- Hay un uso intensivo de DTCO, es decir, optimizaciones conjuntas de diseño y proceso para sacar más partido al mismo silicio: bibliotecas de celdas más compactas, rutas de interconexión afinadas, etc.
- China es capaz de avanzar en lógica avanzada sin acceso a EUV, algo que muchos analistas consideraban poco probable a corto plazo.
Pero esa medalla viene con reverso:
- Rendimientos inciertos: cuanto más agresivo es el multipatronado, más difícil es mantener yields comerciales altos. Es muy posible que los primeros lotes de N+3 sean caros y con números ajustados.
- Coste por oblea elevado: más pasos de proceso implican más horas de máquina, más químicos, más metrología y más pruebas.
- Ventana de competitividad limitada: mientras SMIC “persigue” los 5 nm con DUV, TSMC ya explota nodos de 3 nm y avanza hacia 2 nm con EUV y High-NA en el horizonte.
Es decir, N+3 es un logro notable, pero no cierra la brecha con los líderes; la reduce parcialmente, y quizá solo durante un tiempo.
Qué significa para Huawei y el ecosistema chino
Para Huawei, que desde hace años sufre restricciones de acceso a foundries como TSMC, el Kirin 9030 en N+3 es ante todo una prueba de viabilidad:
- Puede seguir lanzando SoC propios relativamente competitivos sin depender de fabricación fuera de China.
- Refuerza el relato interno de “autosuficiencia tecnológica” que Pekín quiere proyectar hacia dentro y hacia fuera.
- Permite a Huawei seguir en la batalla en gama alta, aunque seguramente con niveles de eficiencia y rendimiento algo por detrás de rivales con chips de 3/4 nm de TSMC o Samsung.
Para el ecosistema chino de semiconductores, el mensaje es claro:
la inversión masiva en I+D, ingeniería de proceso y herramientas propias puede compensar —en parte— las sanciones, aunque a un coste más alto y con más fricción técnica.
La lectura geopolítica: el “techo” de las sanciones
El caso del Kirin 9030 y N+3 también plantea una pregunta incómoda para Estados Unidos y sus aliados:
- Si, incluso sin EUV, una foundry sancionada puede llegar a una especie de “5 nm con esteroides DUV”, ¿dónde está realmente el techo de las restricciones?
- ¿Hasta qué punto la presión export-control impulsa a China a construir una cadena de valor paralela que, con el tiempo, se vuelve más resiliente y menos dependiente de Occidente?
A corto plazo, las sanciones siguen limitando el acceso chino a lo más avanzado (3 nm reales, High-NA EUV, equipos de metrología punta, etc.). Pero lo que muestra N+3 es que las barreras no son absolutas, sino graduales: ralentizan, encarecen y complican, pero no detienen por completo el progreso.
¿Y ahora qué?
El Kirin 9030 y el nodo N+3 de SMIC no representan una sorpresa total, pero sí una confirmación:
China ha encontrado una vía, técnicamente enrevesada y económicamente más dura, para seguir reduciendo el tamaño de sus transistores sin acceso al equipamiento más avanzado del mundo.
En términos prácticos, los próximos meses dirán mucho sobre:
- Qué volumen real puede alcanzar SMIC en N+3.
- Cómo se comportan los dispositivos con este nodo en consumo, temperatura y fiabilidad a largo plazo.
- Si aparece una variante “N+3 mejorado” que afine aún más densidad y rendimiento.
Mientras tanto, el mensaje que envía el Kirin 9030 es claro: la carrera por el liderazgo en semiconductores avanzados no es solo una cuestión de quién tiene el mejor nodo, sino de quién es capaz de sostener su avance tecnológico pese a la presión geopolítica y las barreras de acceso.
Y en esa carrera, la aparición de un “casi 5 nm sin EUV” en producción comercial es un hito que nadie puede permitirse ignorar.
Imagen simulada con IA.
