A finales de 2025, la guerra de los chips de memoria se juega también en Hefei. Allí, la china ChangXin Memory Technologies (CXMT), hasta hace pocos años prácticamente desconocida fuera del país, se ha consolidado como el principal fabricante de DRAM de China y uno de los actores que más rápido está recortando distancias con el trío dominante del sector: Samsung, SK Hynix y Micron.
Su último salto tecnológico se ha materializado en chips DDR5 de 16 Gb fabricados con una celda efectiva de 16 nm, un nivel que las autoridades estadounidenses intentaron fijar como línea roja mediante sanciones y controles de exportación.
De actor local a incómodo competidor global
CXMT inició la producción en volumen de DRAM en 2020. En apenas cinco años ha pasado de ser un proveedor de nicho para el mercado chino a controlar en torno a un 5 % del mercado global de DRAM en 2024 y aproximadamente un 6 % de la capacidad mundial a comienzos de 2025, gracias a una rápida expansión de sus fábricas y fuertes apoyos estatales.
Su capacidad instalada se estima ya en el entorno del 10-13 % de la producción global de DRAM, lo que la convierte en un actor capaz de influir en precios, sobre todo en gamas de entrada y memoria “legacy”, a pesar de seguir por detrás de sus rivales en tecnología punta.
Samsung, SK Hynix y Micron siguen controlando la inmensa mayoría del mercado, especialmente en productos de alto valor como la memoria para servidores y la HBM (High Bandwidth Memory) crítica para la inteligencia artificial. Pero CXMT ha dejado de ser un aspirante lejano para convertirse en un competidor que preocupa a Seúl y a Boise.
El salto a DDR5 de 16 nm: cruzar la línea marcada por Washington
Uno de los hitos clave de 2025 ha sido el análisis independiente de los nuevos chips DDR5 de CXMT. Un desmontaje realizado por TechInsights detectó una celda de memoria con dimensión efectiva de 16 nm, una densidad de 0,239 Gb/mm² en chips de 16 Gb y un diseño de celda 4F² comparable, aunque aún algo inferior, al de los líderes del sector.
¿Por qué es tan relevante ese número? Porque los controles de exportación de Estados Unidos definieron como “avanzados” los procesos de DRAM por debajo de 18 nm, intentando congelar a la industria china en esa frontera. Las restricciones sobre equipos de litografía y procesos para nodos más finos pretendían impedir que empresas como CXMT pudieran dar el salto a generaciones competitivas de DDR5 y HBM.
Que una compañía de Hefei presente chips DDR5 con celda efectiva de 16 nm indica que, pese a las sanciones, China ha encontrado caminos para avanzar: reutilización inteligente de equipos, procesos de múltiples patrones y un esfuerzo intensivo de I+D doméstico. No está al nivel de los nodos más agresivos de Samsung o SK Hynix, pero el desfase se ha reducido a unos 3 años, frente a las brechas de 5-7 años que se manejaban hace apenas un lustro.
Rendimientos, DDR5-8000 y LPDDR5X: de la teoría a los módulos reales
La gran duda era si CXMT podía transformar ese avance en chips reales y en producción sostenible. A mediados de 2025, fuentes del sector apuntaban a rendimientos de apenas un 50 % en DDR5, lo que obligó a retrasar la producción masiva hasta finales de año.
Ese freno parece haber sido temporal. A finales de octubre, informes de TechPowerUp y otros medios especializados situaban los rendimientos de DDR5 de CXMT por encima del 80 %, acercándose a cifras comercialmente viables y permitiendo elevar la producción en volumen.
En paralelo, la compañía ha mostrado en ferias técnicas módulos DDR5 capaces de alcanzar velocidades de hasta 8.000 MT/s, con chips de 16 y 24 Gb que permiten tanto módulos “binarios” (16, 32, 64 GB, etc.) como configuraciones no binarias de 24 o 48 GB, ya habituales en las plataformas más recientes.
En el terreno móvil, CXMT también ha exhibido chips LPDDR5X que llegan hasta 10.667 MT/s, posicionándose como alternativa local para fabricantes de smartphones chinos que buscan reducir su dependencia de proveedores extranjeros, especialmente en un contexto de sanciones y tensiones geopolíticas.
No está claro todavía en qué volumen real puede fabricar estas variantes de alta velocidad, pero el simple hecho de demostrar prototipos y primeras remesas comerciales indica que la empresa es capaz de seguir el ritmo de evolución del estándar DDR5, aunque con uno o dos pasos de retraso respecto a los líderes.
HBM y la carrera de la inteligencia artificial
El otro frente clave es la HBM, la memoria de alto ancho de banda que alimenta las GPU para inteligencia artificial y supercomputación. CXMT ha comenzado a producir HBM2 y trabaja en HBM3, con un plan de salida a volumen en 2026, apoyado en una nueva planta de empaquetado avanzado cerca de Shanghái, diseñada para manejar inicialmente unas 30.000 obleas al mes.
Informes recientes apuntan a que la compañía ya ha enviado muestras clave de HBM3 a Huawei para pruebas en aceleradores de IA, lo que da una idea del objetivo estratégico: sostener el ecosistema chino de IA con memoria nacional y reducir la dependencia de HBM importada, fuertemente afectada por las sanciones.
Analistas del sector estiman que, en HBM, CXMT sigue a 3-4 años de distancia de Samsung y SK Hynix, que ya están trabajando en HBM3E y planificando la transición a HBM4. Pero, de nuevo, la brecha se acorta: China ya no está fuera de la conversación de la memoria para IA, sino en una posición “seguidora rápida”.
Sanciones, listas negras y efecto boomerang
El avance de CXMT se produce a pesar de una cascada de medidas restrictivas. El Departamento de Comercio de EE. UU. ha endurecido desde 2022 los controles a la exportación de equipos de fabricación de semiconductores, y en mayo de 2025 incluyó formalmente a CXMT en la Entity List, lo que obliga a solicitar licencias para cualquier exportación de tecnología estadounidense relevante hacia la compañía.
Además, el Departamento de Defensa la ha incorporado a su lista de “empresas militares chinas”, lo que refuerza el mensaje político y disuade a socios occidentales potenciales.
Paradójicamente, estas medidas han acelerado la apuesta china por la autosuficiencia: más inversión pública, mayor presión para desarrollar equipos domésticos y una estrategia de centrarse primero en cubrir la demanda interna, hoy valorada en más de 22.000 millones de dólares anuales en chips de memoria.
El resultado es un mercado cada vez más fragmentado: Occidente se blinda frente a hardware chino para aplicaciones sensibles, mientras China construye su propio ecosistema de memoria, con CXMT como pieza central.
Un gigante que se prepara para salir a Bolsa
El siguiente gran paso de CXMT llegará en 2026, si los planes actuales se cumplen. Reuters ha informado de que la empresa prepara una salida a Bolsa en Shanghái con una valoración objetivo de hasta 42.000 millones de dólares, con la que pretende captar entre 20.000 y 40.000 millones de yuanes para financiar nuevas fábricas y líneas de HBM y DDR5 avanzadas.
La operación consolidaría a CXMT como uno de los grandes pesos pesados del mercado de semiconductores chino y permitiría seguir expandiendo capacidad. Sin embargo, también incrementa la presión: los inversores querrán ver márgenes y retornos sostenibles en un sector marcado por ciclos de sobrecapacidad y desplomes de precios.
¿Cuánto se ha reducido realmente la brecha con Samsung, SK Hynix y Micron?
A finales de 2025, la fotografía es matizada. CXMT ha demostrado:
- DDR5 con celda efectiva de 16 nm y densidades competitivas.
- Módulos DDR5-8000 y LPDDR5X-10667 en demostraciones y primeras remesas.
- Rendimientos de DDR5 que han pasado de alrededor del 50 % a más del 80 % en cuestión de meses.
- Primeros pasos serios en HBM2/HBM3 y un ecosistema doméstico de clientes dispuesto a probar estos productos.
Pero sigue por detrás en varios frentes: no utiliza litografía EUV, depende de procesos más complejos y costosos para lograr densidades similares, y no tiene la misma madurez en producto premium para centros de datos y grandes nubes de IA. Samsung, SK Hynix y Micron, mientras tanto, ya piensan en HBM4 y DDR5-8800 como siguientes hitos.
La diferencia, según diversos análisis técnicos, se ha reducido a unos 3 años en términos de nodo y densidad, frente a brechas anteriores mucho mayores. Si CXMT mantiene el ritmo y consigue evitar cuellos de botella en equipos y materiales por las sanciones, podría alcanzar cuotas de mercado de dos dígitos en DRAM durante la segunda mitad de la década, con impacto directo en los precios globales y en el equilibrio de poder tecnológico en la era de la inteligencia artificial.
Preguntas frecuentes sobre CXMT y su papel en el mercado de memoria
¿Qué significa que CXMT fabrique memoria DDR5 con tecnología de 16 nm?
En la práctica, implica que la celda de memoria DRAM de CXMT logra una dimensión efectiva en torno a los 16 nm, con una densidad de bits por milímetro cuadrado cercana a la de los fabricantes líderes. Esto permite chips DDR5 de 16 Gb con un tamaño de matriz competitivo y, por tanto, módulos de mayor capacidad en el mismo espacio físico. Aunque el nodo oficial que declara la compañía puede ser de 18,5 nm para cumplir con la letra de las sanciones, el análisis independiente de los chips muestra que, funcionalmente, han cruzado el umbral de 18 nm que Washington intentó fijar como límite.
¿En qué se diferencia la memoria DDR5 de CXMT de la de Samsung, SK Hynix o Micron?
Los módulos DDR5 de CXMT ya alcanzan velocidades de hasta 8.000 MT/s y capacidades de 16 y 24 Gb por chip, rangos similares a los de sus competidores. Sin embargo, los líderes del sector han tenido más tiempo para optimizar consumos, latencias y fiabilidad en alto volumen, y están un paso por delante en los speed bins más extremos (como DDR5-8800) y en productos para servidores y centros de datos. CXMT, por su parte, se concentra sobre todo en cubrir la demanda interna china y en gamas de consumo y gama media, mientras va ganando experiencia en segmentos premium.
¿Cómo afectan las sanciones de Estados Unidos a CXMT y al mercado global de memoria?
Las sanciones restringen el acceso de CXMT a equipos y software de fabricación de última generación, especialmente para nodos por debajo de 18 nm y para tecnologías de HBM avanzadas. Eso dificulta acelerar su hoja de ruta y puede encarecer sus procesos. Al mismo tiempo, las restricciones empujan a China a invertir más en capacidad propia y en equipos locales, lo que, si tiene éxito, podría desembocar en una sobrecapacidad de memoria DRAM de origen chino en el medio plazo, con presión a la baja sobre los precios globales y más fragmentación en las cadenas de suministro.
¿Qué impacto puede tener CXMT en la carrera de la inteligencia artificial y en los centros de datos?
Si CXMT logra producir HBM3 en volumen a partir de 2026 y ofrece DDR5 competitiva en precio y rendimiento, el ecosistema chino de IA dispondrá de una fuente doméstica de memoria crítica para GPUs y aceleradores locales. Eso refuerza la estrategia de autosuficiencia tecnológica de Pekín. Para Europa y otras regiones que respetan las sanciones, CXMT no será un proveedor directo en el corto plazo, pero sí puede influir indirectamente en el mercado: más oferta global de DRAM suele traducirse en precios más bajos para muchos componentes, aunque también aumenta la incertidumbre y la volatilidad en el sector.
Fuentes:
SCMP / Yahoo Finance; TechInsights; Reuters; Tom’s Hardware; Silicon.co.uk; TechPowerUp; Wccftech; Digitimes; análisis agregados de ChangXin Memory Technologies (grokipedia) y documentación pública de BIS y DoD de EE. UU.
