La distancia tecnológica entre los fabricantes chinos y surcoreanos de memoria se ha reducido con rapidez. La Korea Semiconductor Industry Association (KSIA) estima que China está aproximadamente un año por detrás en NAND, dos años en DRAM y tres años en memoria HBM (High Bandwidth Memory). YMTC y CXMT protagonizan este avance, aunque medir la competitividad mediante una cifra de años simplifica diferencias importantes en rendimiento de fabricación, capacidad, eficiencia y producción a gran escala.
Las claves del avance chino en memoria en 30 segundos
- La KSIA estima que la brecha China-Corea del Sur se ha reducido a un año en NAND, dos en DRAM y tres en HBM.
- YMTC compite cada vez más cerca de Samsung y SK hynix en NAND y prepara generaciones con más de 400 capas.
- CXMT ya produce DDR5 y LPDDR5X mientras avanza en HBM.
- En HBM persisten dificultades de fabricación y empaquetado que separan a CXMT de los líderes.
- El crecimiento de capacidad chino puede aumentar la presión competitiva aunque la tecnología no sea equivalente.
La estimación resulta especialmente relevante porque hace pocos años el retraso chino en algunos segmentos de memoria se calculaba alrededor de cinco años. La evolución no significa que YMTC o CXMT hayan alcanzado a Samsung Electronics y SK hynix en todas las métricas, pero muestra que la distancia ya no puede medirse únicamente por la capacidad de fabricar productos antiguos a menor precio.
Un informe de 2025 del Korea Institute for International Economic Policy (KIEP) ya advertía de esa evolución. El organismo señalaba entonces que CXMT había comenzado a producir DRAM DDR5 de clase 16 nm y que YMTC estaba fabricando NAND de alrededor de 300 capas, situándose mucho más cerca de los fabricantes surcoreanos.
YMTC convierte NAND en el frente más avanzado de China
La memoria NAND es actualmente el terreno donde la distancia parece menor.
Según las estimaciones recogidas por medios surcoreanos, Samsung y SK hynix avanzaron durante 2025 hacia generaciones de aproximadamente 300 capas, mientras YMTC se situaba alrededor de las 270 capas.
La KSIA calcula a partir de esta evolución una diferencia aproximada de un año.
Además, YMTC trabaja en NAND de más de 400 capas para su siguiente generación. Que consiga desarrollarla no implica automáticamente que pueda fabricarla inmediatamente con el mismo volumen, rendimiento o coste que sus competidores, pero muestra hasta dónde ha avanzado su tecnología.
Una de sus armas es Xtacking, la arquitectura desarrollada por YMTC para fabricar por separado las matrices de memoria NAND y la lógica periférica antes de unirlas.
Este enfoque permite trabajar de forma independiente sobre ambas partes y posteriormente conectarlas mediante técnicas avanzadas de unión.
La evolución hacia hybrid bonding o unión híbrida cobra especial importancia a medida que aumenta el número de capas y la densidad.
También hay señales comerciales de que YMTC ha dejado de ser un participante marginal. Diferentes estudios de mercado de 2026 sitúan al fabricante chino entre los principales proveedores mundiales de NAND por volumen de bits suministrados.
Por tanto, hablar de una brecha de aproximadamente un año no significa que las tecnologías sean idénticas, pero refleja un cambio importante respecto a la posición que ocupaba la industria china hace solo unos años.
CXMT ya compite en DDR5, pero HBM es otra historia
La evolución de ChangXin Memory Technologies (CXMT) resulta posiblemente más importante para el mercado de DRAM.
La compañía china comenzó con productos considerablemente alejados de las generaciones más avanzadas de Samsung, SK hynix y Micron. Esa situación está cambiando.
CXMT ha avanzado hacia DDR5 y LPDDR5X y continúa desarrollando procesos DRAM más pequeños.
La KSIA calcula ahora una diferencia de alrededor de dos años en DRAM convencional.
| Tecnología | Brecha estimada China-Corea del Sur |
|---|---|
| NAND Flash | ~1 año |
| DRAM | ~2 años |
| HBM | ~3 años |
Estas cifras deben entenderse como estimaciones industriales, no como una equivalencia matemática entre generaciones.
Dos fabricantes pueden comercializar DDR5 y, sin embargo, obtener resultados diferentes en densidad por oblea, consumo, frecuencia, rendimiento de fabricación o costes.
Lo mismo sucede con el nodo utilizado. Las denominaciones comerciales y el número de nanómetros no describen por sí solos todas las características de una tecnología DRAM.
La diferencia resulta todavía más evidente al llegar a HBM.
El 25 % de yield muestra el problema que todavía tiene China con HBM
La memoria de alto ancho de banda es uno de los componentes más demandados por la infraestructura de inteligencia artificial.
HBM coloca varias matrices de DRAM en una estructura tridimensional y las conecta mediante técnicas avanzadas de empaquetado. El resultado ofrece un ancho de banda muy superior al de la memoria convencional y permite alimentar con datos a GPU y aceleradores de IA.
Pero fabricar HBM es considerablemente más complejo que producir un módulo DDR5.
CXMT trabaja en este terreno y diferentes informaciones apuntan a desarrollos HBM3 y HBM3E. Sin embargo, las cifras de rendimiento conocidas muestran que la distancia respecto a los líderes continúa siendo importante.
Estimaciones de SemiAnalysis citadas por diferentes medios han situado alrededor del 25 % el rendimiento global de determinadas pilas HBM de CXMT durante su fase de desarrollo.
La cifra no ha sido confirmada oficialmente por la compañía y tampoco debe extrapolarse automáticamente a todos sus productos HBM.
Sí ilustra el problema industrial.
Con HBM no basta con fabricar correctamente cada matriz DRAM. Las capas deben apilarse, conectarse y superar posteriormente las etapas de encapsulado y validación. Un defecto en alguno de los componentes puede inutilizar una estructura mucho más cara que un chip DRAM convencional.
CXMT también debe dominar tecnologías como los TSV (Through-Silicon Vias), conexiones verticales que atraviesan el silicio y permiten comunicar las distintas matrices apiladas.
Por eso la KSIA continúa situando la diferencia en HBM alrededor de tres años, mayor que en NAND o DRAM convencional.
Corea del Sur cuenta aquí con una ventaja especialmente importante gracias a SK hynix y Samsung, mientras Micron representa al tercer gran fabricante internacional.
Las restricciones a EUV no han detenido el avance chino
La evolución de YMTC y CXMT también pone sobre la mesa los límites de los controles tecnológicos aplicados a China.
Las restricciones occidentales dificultan que los fabricantes chinos accedan a determinadas máquinas de fabricación avanzada, especialmente sistemas de litografía ultravioleta extrema (EUV) de ASML.
China continúa teniendo una dependencia importante de equipos extranjeros en varias fases de producción.
Sin embargo, memoria y procesadores lógicos presentan problemas diferentes.
Los fabricantes chinos pueden prolongar tecnologías de litografía ultravioleta profunda (DUV), modificar procesos, recurrir a múltiples exposiciones y desarrollar nuevas técnicas de integración y empaquetado para avanzar sin disponer de las mismas herramientas que sus competidores.
Eso aumenta la complejidad y puede perjudicar costes o rendimiento, pero no impide necesariamente mejorar el producto.
La unión híbrida es especialmente interesante porque permite buscar ganancias de densidad y conectividad mediante el empaquetado y la arquitectura, no exclusivamente reduciendo el tamaño de los transistores.
De ahí que medir la capacidad china observando únicamente si dispone o no de EUV resulte insuficiente.
La capacidad de producción puede ser tan importante como la tecnología
Hay otra dimensión del avance chino que no depende directamente de tener la memoria más avanzada: fabricarla en grandes cantidades.
CXMT está ampliando rápidamente su capacidad de DRAM. Reuters informó en julio de 2026 de que la compañía se había convertido ya en el cuarto mayor fabricante mundial de DRAM y estaba aumentando su presencia aprovechando la escasez provocada por la fuerte demanda de memoria.
YMTC está haciendo algo parecido en NAND.
Las estimaciones concretas sobre capacidad futura varían ampliamente según la fuente. Algunas informaciones apuntan a expansiones hacia varios cientos de miles de obleas mensuales tanto en CXMT como en YMTC, pero se trata de previsiones que dependen de nuevas fábricas, disponibilidad de equipamiento y velocidad de las rampas de producción.
Por eso no resulta prudente dar por confirmadas cifras como 600.000 u 800.000 obleas mensuales para CXMT o 500.000 para YMTC hasta que esas instalaciones estén realmente operativas.
La dirección general, sin embargo, está clara: ambos fabricantes están ampliando capacidad.
Esto puede tener consecuencias incluso antes de que alcancen tecnológicamente a sus competidores.
Una memoria no necesita ser la más avanzada del mercado para competir en ordenadores personales, servidores convencionales, teléfonos, SSD o dispositivos electrónicos.
El mercado de memoria depende mucho del volumen y del precio.
Alcanzar a Samsung y SK hynix exige algo más que igualar generaciones
El dato de uno, dos o tres años permite visualizar rápidamente el avance chino, pero también corre el riesgo de simplificarlo demasiado.
Un fabricante de memoria debe dominar simultáneamente proceso, arquitectura, rendimiento por oblea, fiabilidad, encapsulado, consumo, velocidad y producción a gran escala.
HBM añade además integración tridimensional, gestión térmica y conexiones extremadamente complejas.
Por eso producir una muestra HBM3E no equivale a competir comercialmente con millones de unidades de HBM3E fabricadas con buenos rendimientos.
Lo mismo ocurre con una NAND de 400 capas: el número de capas es una métrica importante, pero no determina por sí mismo rendimiento, densidad, latencia, resistencia o coste por bit.
La situación china resulta relevante precisamente porque YMTC y CXMT empiezan a avanzar en varias de esas dimensiones al mismo tiempo.
También disponen de un enorme mercado doméstico. Fabricantes chinos de servidores, teléfonos, ordenadores y sistemas de inteligencia artificial pueden proporcionar una base de clientes que permita aumentar volumen, aprender de la producción y financiar nuevas generaciones.
Las restricciones comerciales pueden reforzar indirectamente esa dinámica al incentivar la sustitución de componentes extranjeros dentro de China.
La fotografía que ofrece la industria surcoreana es por eso más significativa que afirmar simplemente que China ha alcanzado a Occidente.
Todavía existen diferencias tecnológicas importantes, especialmente en HBM y en determinados equipos de fabricación, pero la distancia en memoria convencional se ha reducido mucho más rápido de lo que parecía probable hace pocos años.
En NAND, YMTC ya compite cerca de los líderes en algunas métricas. En DRAM, CXMT ha pasado de generaciones anteriores a DDR5 y LPDDR5X. HBM continúa siendo el escalón más difícil.
Si la estimación de la KSIA es correcta, la ventaja surcoreana ya no puede medirse en una década ni siquiera en cinco años: actualmente estaría alrededor de tres años en HBM, dos en DRAM y solo uno en NAND.
