
China desarrolla transistores GAA con DUV que apuntan a un camino hacia los 3 nm
El Instituto de Microelectrónica de la Academia China de Ciencias (CAS) ha desarrollado una arquitectura de transistores de puerta rodeada por completo, conocida como GAA (Gate-All-Around), fabricada mediante un proceso basado en litografía DUV (ultravioleta profundo). El instituto afirma que la integración conseguida supera una relación de corriente de encendido frente a apagado de 5 × 10⁵, lo que abre una vía experimental hacia prestaciones asociadas a nodos de 3 nm sin utilizar litografía EUV como tecnología central. Las claves de los transistores GAA con DUV en China en 30 segundos La novedad procede de una presentación realizada el 16 de septiembre en Pekín por Ye Tianchun, director del Instituto de Microelectrónica de la Academia China de Ciencias y uno




