
Micron prepara DDR6 con el doble de ancho de banda y memoria HBM vertical para 2028
Micron detalla su hoja de ruta: DDR6 con el doble de ancho de banda que DDR5, LPDDR6 más eficiente, vHBM apilada sobre el chip hacia 2028 y NAND G11 de más de 400 capas.




