
Imec acelera el salto del GaN a 300 mm: hacia dispositivos de potencia más avanzados y con costes de fabricación a la baja
Imec, el conocido centro de I+D en nanoelectrónica y tecnologías digitales, ha puesto en marcha una nueva vía de su programa de innovación abierta centrada en tecnología de nitruro de galio (GaN) sobre oblea de 300 mm para electrónica de potencia de baja y alta tensión. La iniciativa —que se integra en su Industrial Affiliation Program (IIAP) de GaN— no solo busca reducir costes al pasar de 200 mm a 300 mm, sino también elevar el listón de lo que puede ofrecer el GaN en aplicaciones reales: desde convertidores punto-de-carga (PoL) para CPUs y GPUs, hasta cargadores a bordo y DC/DC en automoción, inversores fotovoltaicos y distribución eléctrica para telecomunicaciones y centros de datos de IA. El movimiento llega con