EE. UU. desafía a ASML (Europa) y a China con litografía de rayos X: la ‘startup’ Substrate promete chips <2 nm y obleas diez veces más baratas
Estados Unidos prepara una ofensiva tecnológica en el corazón del ecosistema de los semiconductores: la litografía. La emergente Substrate ha presentado una propuesta que combina aceleradores de partículas con una fuente de rayos X para imprimir patrones de transistores con una resolución que, según la compañía, igualaría o superaría la de los sistemas EUV de última generación, pero con menos complejidad y costes drásticamente inferiores. El objetivo es inequívoco: reducir la dependencia de Europa —donde ASML domina la litografía EUV— y de Asia, y relocalizar en EE. UU. la pieza más crítica de la fabricación avanzada. La apuesta no es incremental, es de ruptura: sustituir la luz ultravioleta extrema (EUV) por rayos X generados a partir de electrones acelerados casi