Samsung cambia su hoja de ruta DRAM y adelanta el uso del hybrid bonding
Samsung Electronics ha modificado la estrategia de desarrollo de su próxima generación de memoria DRAM y ha incorporado B1b a su hoja de ruta oficial bajo la denominación D0a. El movimiento sitúa el wafer-to-wafer (W2W) hybrid bonding como una de las tecnologías con las que la compañía pretende superar la actual generación de memorias de 10 nanómetros (nm), mientras el desarrollo de la DRAM con transistores verticales, conocida como VCT, continúa por separado. Las claves de la nueva DRAM D0a de Samsung en 20 segundos La revisión afecta a la forma en que Samsung plantea su primer proceso DRAM por debajo de la clase de 10 nm. Según la información publicada por ZDNet Korea, B1b estaba en desarrollo pero no




