
AMD apunta a una DRAM 3D hasta 17 veces más eficiente que HBM
AMD ha puesto cifras al potencial de una de las tecnologías que podrían cambiar la memoria de los futuros aceleradores de inteligencia artificial. La compañía estima que una arquitectura DRAM 3D conectada mediante hybrid bonding podría ser hasta 17 veces más eficiente energéticamente que una pila HBM basada en microbumps. El planteamiento resulta atractivo para sistemas donde mover datos consume cada vez más energía, aunque todavía existen importantes problemas térmicos, de fabricación y fiabilidad que impiden hablar de una sustitución próxima de HBM. Las claves de la DRAM 3D en 20 segundos La cifra debe interpretarse además con cierta cautela. AMD no ha anunciado un producto comercial de memoria DRAM 3D con esa ventaja ni una fecha para llevarlo al




