Samsung mueve el sensor térmico al cableado del chip y busca ganar espacio y eficiencia en 2 nm
Samsung Foundry ha presentado en ISSCC 2026 una nueva IP de sensor de temperatura pensada para uno de los grandes problemas de los nodos más avanzados: controlar mejor el calor sin seguir sacrificando área útil dentro del chip. La base de la propuesta es desplazar el sensor desde la zona FEoL —donde residen los transistores— hacia la capa superior de interconexiones BEoL, usando una resistencia metálica de bajo coeficiente térmico. En el programa oficial del congreso, Samsung describe esta solución como un “fully stacked RC-based temperature sensor” para proceso 2nm Gate-All-Around, con 625 μm², funcionamiento a 0,6 V y un enfoque orientado a mejorar la relación entre precisión, consumo y área. La importancia de este movimiento está en el sitio