
TSMC y ASML preparan fotomáscaras de mayor tamaño para aprovechar la litografía High-NA EUV
La transición hacia fotomáscaras de mayor tamaño busca resolver una limitación de la litografía ultravioleta extrema de alta apertura numérica (High-NA EUV): aprovechar su capacidad para imprimir circuitos más pequeños sin perder productividad al fabricar chips de gran tamaño. TSMC y ASML anunciaron en septiembre una iniciativa industrial para desarrollar este formato, con el objetivo de tener una línea piloto en 2031 y preparar su uso en producción avanzada en 2033. Las claves de las fotomáscaras High-NA EUV en 30 segundos El anuncio de ambas compañías apunta a una nueva fase en el desarrollo de la litografía de semiconductores. Aunque High-NA EUV permite imprimir estructuras más pequeñas, sacar partido a esa resolución exige adaptar otros elementos del proceso industrial. Las




