Intel y ASML avanzan en High NA EUV: el EXE:5200B supera pruebas clave y la industria mira ya a transistores con materiales 2D
La carrera por seguir reduciendo el tamaño de los transistores —y, con ello, aumentar rendimiento y eficiencia en chips para centros de datos, informática de alto rendimiento y cargas de trabajo de Inteligencia Artificial— se está jugando en dos frentes a la vez: litografía más precisa y nuevas arquitecturas/materiales que permitan seguir escalando cuando el silicio empiece a rozar sus límites físicos. En esa doble apuesta se enmarca el último hito compartido por Intel Foundry, que ha anunciado avances en dos proyectos distintos pero conectados por un mismo objetivo: convertir innovación de laboratorio en procesos manufacturables. Por un lado, la compañía ha alcanzado junto a ASML la fase de acceptance testing (pruebas de aceptación) del TWINSCAN EXE:5200B, uno de los