
Rusia pone fecha a su EUV “propio”: chips por debajo de 10 nm en 2037, láseres de estado sólido y espejos Ru/Be a 11,2 nm
Rusia ha presentado una hoja de ruta que, de cumplirse, cambiaría su posición en la carrera mundial de la fabricación de chips: desarrollar litografía EUV y de rayos X con la que producir desde 65 nm hasta resoluciones por debajo de 10 nm entre 2026 y 2037. La propuesta, divulgada por el divulgador Dmitrii Kuznetsov en X (antes Twitter), combina un calendario agresivo —steppers de 40 nm en 2026, escáneres de 28/14 nm entre 2029 y 2032 y equipos de 13/9 nm entre 2033 y 2036, con EUV “plena” en 2037— y una apuesta por tecnologías distintas de las de ASML: láseres híbridos de estado sólido, fuentes de plasma de xenón (en lugar de estaño) y espejos de rutenio/berilio operando