
SK hynix marca un hito con la primera NAND QLC de 321 capas: el futuro del almacenamiento para la era de la IA
La carrera por la densidad de memoria acaba de alcanzar un nuevo techo. SK hynix, uno de los principales fabricantes de semiconductores del mundo, anunció el inicio de la producción en masa de la primera memoria NAND QLC de 321 capas, un logro que establece un récord histórico en la industria y que apunta directamente a los centros de datos para inteligencia artificial, donde la eficiencia energética y la capacidad extrema son vitales. El dispositivo, con 2 terabits (Tb) por chip, dobla la capacidad de las soluciones previas y será la punta de lanza de una nueva generación de SSDs de ultra alta capacidad, primero en PC y más adelante en el sector empresarial (eSSD) y smartphones con tecnología UFS.