
¿El fin de la Ley de Moore… o el comienzo del “silicio sin silicio”? La apuesta china por transistores de bismuto y 3D monolítico
Durante casi 60 años, la Ley de Moore ha sido la brújula de la industria: cada 18–24 meses, más transistores por chip y, con ello, más potencia por euro y por vatio. Pero ese ciclo virtuoso ha chocado con un muro físico. A escalas de unos pocos nanómetros, los efectos cuánticos, las corrientes de fuga y la densidad térmica convierten la miniaturización adicional del silicio en un juego con retornos decrecientes. El resultado es visible: frecuencias estancadas alrededor de los 5 GHz, ganancias cada vez más modestas por nodo y una escalada de coste y complejidad que solo unas pocas fábricas pueden sostener. En paralelo, mientras Occidente afina FinFETs y GAAFETs de silicio y empuja la apilación 3D donde puede