
Intel 18A marca un hito en el futuro de los semiconductores con avances en RibbonFET y PowerVia
Durante el simposio VLSI 2025 celebrado en Kioto, Japón, Intel presentó las capacidades avanzadas de su nuevo nodo de fabricación Intel 18A, que combina las tecnologías RibbonFET (GAA) y PowerVia, alcanzando importantes mejoras en rendimiento, eficiencia energética y densidad frente a generaciones anteriores como Intel 3. Un salto generacional: más allá de Intel 3 Según los datos presentados en la ponencia T1-1 del evento, Intel 18A consigue una mejora del 30 % en densidad, una reducción del 36 % en consumo energético, y un incremento de hasta el 25 % en rendimiento frente a su nodo Intel 3. Este avance representa una evolución significativa en la estrategia de Intel Foundry Services (IFS), consolidando su apuesta por volver a liderar la carrera tecnológica en