
China revoluciona la memoria Flash con el desarrollo del chip PoX: 400 picosegundos por operación
La Universidad de Fudan rompe récords con una memoria no volátil ultrarrápida ideal para aplicaciones en Inteligencia Artificial Investigadores de la Universidad de Fudan, en Shanghái, han anunciado el desarrollo de la memoria Flash más rápida del mundo, marcando un hito sin precedentes en la historia de la computación. Bautizado como PoX (Phase-change Oxide), este nuevo tipo de memoria no volátil es capaz de realizar operaciones de escritura en tan solo 400 picosegundos, es decir, 0,0000000004 segundos. Para ponerlo en perspectiva, es unas 300.000 millones de veces más rápida que el parpadeo humano, que tarda aproximadamente 300 milisegundos. Este avance representa un paso de gigante frente a las memorias tradicionales. Las SRAM y DRAM, ampliamente utilizadas en la actualidad, escriben