
Samsung prepara tres tipos de Z-NAND para IA: más ancho de banda y más operaciones por segundo
Samsung está ampliando su estrategia de memorias NAND para inteligencia artificial con tres líneas de desarrollo: Z-NAND-O, orientada a la IA en dispositivos, Z-NAND-T, centrada en aumentar el ancho de banda para centros de datos, y Z-NAND-I, diseñada para maximizar las operaciones de entrada y salida por segundo. Según el medio surcoreano ZDNet Korea, las dos últimas siguen en una fase inicial de desarrollo y Samsung todavía no ha anunciado oficialmente sus características. Las claves de las nuevas Z-NAND de Samsung en 20 segundos La estrategia refleja una necesidad de la infraestructura de IA: no todas las aplicaciones se benefician de la misma característica de memoria. Algunas necesitan transferir grandes cantidades de datos con rapidez, mientras que otras realizan numerosas




