
Samsung acelera con HBM4E para GPU de IA: objetivo 3,25 TB/s en 2027 y un golpe de timón para recuperar el liderazgo
La carrera por la memoria de alto ancho de banda (HBM) entra en una nueva fase. Samsung Electronics ha puesto fecha y cifra a su próxima jugada: HBM4E con un objetivo de 3,25 TB/s y producción en masa en 2027. La compañía lo detalló en el OCP Global Summit 2025 de San José, fijando una velocidad por pin de al menos 13 Gbps y 2.048 pines de E/S para alcanzar ese caudal, 2,5 veces por encima de la HBM3E vigente. El anuncio llega tras un año en el que SK hynix tomó la delantera con HBM3E y se postuló como la primera en llevar HBM4 a volumen, mientras Micron se posicionaba con muestras de 11 Gbps para su “cliente principal”