Samsung acelera su HBM “a medida” y entra en fase backend del base die de HBM4E
Samsung Electronics ha dado un paso relevante en su hoja de ruta de memoria de alto ancho de banda: la compañía ha entrado en la fase de diseño backend del base die de su HBM4E personalizada (7.ª generación), un hito que, en términos de desarrollo de silicio, suele interpretarse como haber superado la “mitad del camino” hacia el tape-out. El foco está en una pieza que cada vez pesa más en la competencia por suministrar memoria para IA: el base die, el “sustrato lógico” situado en la base del apilado HBM. En un mercado donde los clientes ya no piden únicamente capacidad y ancho de banda, sino funciones lógicas específicas integradas en la memoria, el base die se ha convertido
