
Infineon consolida su liderazgo en semiconductores avanzados con la producción de obleas GaN de 300 mm
La compañía alemana se adelanta al mercado tras el anuncio del cierre de la producción GaN por parte de TSMC, posicionándose como referente global en tecnología de nitruro de galio Infineon Technologies AG ha confirmado que su hoja de ruta para la fabricación de semiconductores de nitruro de galio (GaN) sobre obleas de 300 milímetros avanza según lo previsto. La multinacional alemana, que opera bajo el modelo IDM (Integrated Device Manufacturer), ofrecerá las primeras muestras a clientes en el cuarto trimestre de 2025, reforzando así su papel como actor clave en el mercado global de componentes de potencia avanzados. El anuncio llega en un momento estratégico: TSMC, principal competidor en el segmento, ha comunicado el cese de su línea de