SK hynix acelera la carrera por el NAND del futuro: PLC de 5 bits, FeNAND 3D y una tecnología CTI casi lista para producción
La memoria NAND vuelve a situarse en el centro del debate tecnológico, empujada por dos fuerzas que no aflojan: la explosión de datos asociada a la Inteligencia Artificial y la presión del mercado por más capacidad por euro sin romper los límites de fiabilidad. En ese contexto, SK hynix ha aprovechado sus presentaciones recientes en foros técnicos para dibujar una hoja de ruta con tres frentes muy distintos —y, a la vez, conectados—: NAND de 5 bits por celda (PLC) mediante un diseño llamado Multi-Site Cell (MSC), investigación en FeNAND 3D orientada a computación en memoria, y una mejora de proceso más “industrial” denominada CTI, ya mostrada en un nodo de 176 capas. El denominador común es claro: a medida
