La carrera por la densidad de memoria acaba de alcanzar un nuevo techo. SK hynix, uno de los principales fabricantes de semiconductores del mundo, anunció el inicio de la producción en masa de la primera memoria NAND QLC de 321 capas, un logro que establece un récord histórico en la industria y que apunta directamente a los centros de datos para inteligencia artificial, donde la eficiencia energética y la capacidad extrema son vitales.
El dispositivo, con 2 terabits (Tb) por chip, dobla la capacidad de las soluciones previas y será la punta de lanza de una nueva generación de SSDs de ultra alta capacidad, primero en PC y más adelante en el sector empresarial (eSSD) y smartphones con tecnología UFS.
Más bits por celda: de SLC a QLC y más allá
La memoria NAND se clasifica según cuántos bits puede almacenar cada celda:
- SLC (1 bit): máxima velocidad y fiabilidad, pero costosa y con baja densidad.
- MLC (2 bits) y TLC (3 bits): estándar en gran parte de los SSD actuales.
- QLC (4 bits): mayor densidad y menor coste, a costa de menor resistencia.
- PLC (5 bits): todavía en fase experimental, con retos importantes de fiabilidad.
La apuesta de SK hynix por el QLC de 321 capas combina densidad récord con técnicas de mitigación para minimizar las desventajas tradicionales de esta tecnología.
El reto de la velocidad y cómo lo han resuelto
Uno de los grandes problemas de la NAND QLC de alta capacidad es la pérdida de rendimiento en operaciones simultáneas. Para solucionarlo, SK hynix aumentó el número de “planes” de 4 a 6, es decir, unidades independientes de operación dentro del chip.
Este cambio arquitectónico ha tenido un impacto directo:
- Velocidad de transferencia duplicada respecto a generaciones anteriores.
- Rendimiento de escritura +56%.
- Rendimiento de lectura +18%.
- Eficiencia energética en escritura +23%.
Estos números no son anecdóticos. En entornos de IA, donde los servidores deben procesar volúmenes masivos de datos con el menor consumo posible, cada punto porcentual de eficiencia se traduce en millones de dólares de ahorro energético anual.
Del portátil al centro de datos de IA
La hoja de ruta de SK hynix es clara:
- Primer paso: integración en SSD para PC, donde el mercado de consumo demanda mayor capacidad a precios competitivos.
- Segundo paso: salto al sector enterprise SSD (eSSD), enfocado en data centers.
- Tercer paso: llegada a smartphones premium con UFS, en un mercado que exige más espacio para aplicaciones de IA generativa en dispositivos móviles.
El objetivo final es penetrar en el mercado de servidores de IA, donde SK hynix pretende diferenciarse con su tecnología 32DP (32 Die Package), capaz de apilar hasta 32 chips en un único encapsulado, lo que multiplica la densidad sin incrementar el tamaño físico del dispositivo.
El contexto: la memoria como cuello de botella de la IA
El boom de la inteligencia artificial ha puesto a prueba la infraestructura global de almacenamiento. Los modelos generativos multimodales, entrenados con trillones de tokens, generan un volumen de datos sin precedentes: desde datasets para entrenamiento hasta el almacenamiento temporal de inferencias.
- Según IDC, los data lakes de IA ya representan más del 25% del crecimiento anual de almacenamiento empresarial.
- SemiAnalysis estima que los SSD de ultra capacidad para IA alcanzarán un mercado de 25.000 millones de dólares en 2027, impulsados por la adopción de arquitecturas GPU a gran escala.
En este escenario, la combinación de QLC de alta densidad + eficiencia energética de SK hynix puede convertirse en una ventaja competitiva crucial frente a rivales como Micron, Samsung o Kioxia.
Una apuesta estratégica hacia el “full-stack AI memory”
La compañía lo ha dejado claro: su meta es consolidarse como un proveedor integral de memoria para inteligencia artificial, combinando DRAM de alto rendimiento (HBM3E), NAND de ultra capacidad y empaquetados 3D avanzados.
“Con el inicio de la producción en masa hemos reforzado significativamente nuestro portafolio y asegurado competitividad en costes”, afirmó Jeong Woopyo, jefe de Desarrollo de NAND en SK hynix. “Daremos un gran salto como proveedor de memoria de pila completa para IA, en línea con el crecimiento explosivo de la demanda en centros de datos”.
La clave, subrayan, no es solo la densidad, sino la capacidad de ofrecer soluciones energéticamente sostenibles en un contexto donde los centros de datos de IA podrían consumir hasta el 12% de la electricidad de EE.UU. en 2028, según el Departamento de Energía estadounidense.
El horizonte: ¿hacia los 500 niveles?
La pregunta inevitable es: ¿hasta dónde puede llegar la escalada de capas? Hoy, con 321 niveles en QLC, SK hynix ha puesto el listón más alto que nunca. Pero los analistas apuntan a que la barrera psicológica de las 500 capas podría alcanzarse antes de 2030, con PLC (5 bits por celda) y nuevas técnicas de empaquetado 3D.
No obstante, cada salto añade complejidad en:
- Fiabilidad: mayor riesgo de desgaste y errores.
- Latencia: más capas implican más tiempo de acceso.
- Coste de fabricación: las obleas y el proceso de apilado son cada vez más caros.
Conclusión
Con su NAND QLC de 321 capas y 2Tb, SK hynix no solo rompe un récord técnico: marca la dirección del almacenamiento en la era de la IA. En un mercado donde la memoria ya es tan crítica como la potencia de cálculo, esta innovación se perfila como una pieza clave para que los centros de datos puedan seguir escalando sin colapsar en consumo energético o costes.
El desafío no será solo tecnológico, sino también económico y medioambiental: cómo ofrecer más capacidad a menor coste y con menor impacto energético. Y en esa carrera, SK hynix parece decidido a ocupar una posición de liderazgo.
Preguntas frecuentes (FAQ)
¿Qué significa QLC en memoria NAND?
QLC significa Quad-Level Cell, una tecnología que almacena 4 bits de información en cada celda, lo que permite mayor densidad y menor coste frente a SLC, MLC o TLC, aunque con menor resistencia.
¿Por qué es importante alcanzar las 321 capas?
Es la primera vez que una memoria NAND supera las 300 capas con QLC, lo que permite duplicar la capacidad y mejorar el rendimiento frente a generaciones anteriores, con mejoras clave en velocidad y eficiencia energética.
¿Dónde se usará primero esta memoria?
Inicialmente en SSD para PC, y luego en eSSD para centros de datos de IA y en smartphones UFS de gama alta.
¿Qué impacto tiene en la inteligencia artificial?
Los modelos de IA requieren almacenar y procesar enormes cantidades de datos. Esta memoria QLC de alta densidad permitirá crear eSSD de ultra capacidad más eficientes en consumo y coste, facilitando la expansión de las AI factories.
vía: news skhynix
