SK hynix anunció la puesta en marcha del primer sistema de litografía EUV de alta apertura numérica (High NA EUV) para producción en masa en su planta M16 de Icheon, Corea del Sur. El equipo, el modelo TWINSCAN EXE:5200B de ASML, marca un hito en la industria global de semiconductores al abrir la puerta a patrones más finos y densidades de transistores sin precedentes, fundamentales para la próxima generación de memorias DRAM y aplicaciones de inteligencia artificial.
Qué significa High NA EUV
La litografía EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) utiliza longitudes de onda extremadamente cortas de luz ultravioleta para grabar patrones en las obleas de silicio. La clave del nuevo sistema está en su apertura numérica (NA): mientras los equipos EUV actuales trabajan con un NA de 0,33, el EXE:5200B eleva la cifra a 0,55, lo que representa una mejora del 40 % en precisión óptica.
Esto se traduce en:
- Transistores 1,7 veces más pequeños que con la EUV convencional.
- Densidades 2,9 veces superiores, lo que permite más chips por oblea.
- Mejoras significativas en eficiencia energética y rendimiento de los dispositivos.
Un paso decisivo en la carrera de la memoria para IA
SK hynix, segundo mayor fabricante mundial de memorias, busca consolidar su liderazgo en el segmento de memoria para inteligencia artificial y computación de nueva generación. Según Cha Seon Yong, responsable de I+D de la compañía:
“Esperamos que esta infraestructura crítica convierta en realidad la visión tecnológica que hemos estado persiguiendo. Queremos reforzar nuestro liderazgo en el espacio de la memoria para IA con tecnología de vanguardia”.
El sistema permitirá a SK hynix simplificar procesos EUV previos, acelerar el desarrollo de nuevas generaciones de DRAM y mejorar la competitividad en costes y rendimiento, en un mercado dominado por la alta demanda de centros de datos, supercomputación y aplicaciones de machine learning.
Una colaboración estratégica con ASML
El proyecto se apoya en la alianza con ASML, el fabricante neerlandés de equipos de litografía y único proveedor mundial de tecnología EUV. Para Kim Byeong-Chan, responsable del equipo de clientes SK hynix-Japón en ASML:
“High NA EUV es una tecnología crítica que abre el próximo capítulo de la industria de los semiconductores. Colaboraremos estrechamente con SK hynix para impulsar la innovación en la memoria de nueva generación”.
La instalación del sistema en la planta M16 se celebró en un evento al que asistieron altos ejecutivos de ambas compañías, subrayando la importancia estratégica de esta adopción.
Contexto: de los 10 nm a los 2 nm y más allá
Desde 2021, SK hynix ha ido ampliando el uso de EUV en la producción de memorias avanzadas, empezando con el nodo 1anm (cuarta generación de 10 nm). La introducción del High NA EUV responde a la necesidad de la industria de escalar a densidades extremas, en línea con los desarrollos de competidores como Samsung, TSMC o la japonesa Rapidus, que ya planean chips de 2 nanómetros para 2027.
La apuesta de SK hynix apunta a consolidar la estabilidad y credibilidad de la cadena de suministro global, fortaleciendo su papel como socio estratégico en el suministro de memorias de alto valor añadido.
Impacto esperado en el mercado
La llegada del High NA EUV comercial representa:
- Mayor productividad: más chips DRAM por oblea y reducción de costes.
- Productos de alto rendimiento: memorias más rápidas y eficientes para IA, big data y cloud.
- Refuerzo competitivo: ventaja tecnológica frente a otros fabricantes en un mercado con márgenes cada vez más estrechos.
- Resiliencia en la cadena de suministro: diversificación tecnológica que da estabilidad en un contexto de tensiones geopolíticas.
Conclusión
Con la instalación del primer High NA EUV comercial, SK hynix no solo se adelanta en la carrera tecnológica, sino que sienta las bases para una nueva era de la memoria DRAM, diseñada para responder a la explosiva demanda de la inteligencia artificial y la computación de próxima generación.
Preguntas frecuentes (FAQ)
¿Qué es la litografía High NA EUV?
Es una evolución de la litografía EUV que mejora la resolución al aumentar la apertura numérica (NA), permitiendo grabar patrones más finos en los chips y aumentar su densidad.
Qué ventajas tiene frente a la EUV convencional?
Permite transistores 1,7 veces más pequeños y densidades 2,9 veces mayores, lo que significa más potencia, eficiencia y menor consumo energético.
Por qué es clave para la memoria DRAM?
Porque permite escalar las celdas de memoria a niveles imposibles con tecnologías anteriores, garantizando mayor rendimiento en aplicaciones como IA, big data y supercomputación.
Qué papel juega ASML en este avance?
ASML es el único fabricante de equipos EUV en el mundo y su modelo EXE:5200B es el primero capaz de ofrecer High NA EUV para producción en masa.
vía: Nota SK Hynix
