La surcoreana SK hynix ha dado un paso histórico en la industria de los semiconductores al anunciar la finalización del desarrollo y la preparación para la producción en masa del HBM4, la cuarta generación de memorias de alto ancho de banda (High Bandwidth Memory). Con este avance, la compañía se coloca a la vanguardia de un mercado que se ha convertido en columna vertebral de la inteligencia artificial, los centros de datos y las aplicaciones de computación de alto rendimiento.
Un hito para la industria de la memoria
La memoria HBM (High Bandwidth Memory) surgió como respuesta a las crecientes necesidades de velocidad de procesamiento de datos. A diferencia de la DRAM convencional, la HBM apila varios chips de memoria de forma vertical e interconectada, lo que permite multiplicar la capacidad de transferencia de datos en comparación con los módulos tradicionales. Desde su introducción en 2015, la tecnología ha evolucionado por generaciones: HBM, HBM2, HBM2E, HBM3, HBM3E y, ahora, el HBM4.
El nuevo HBM4 de SK hynix duplica el ancho de banda respecto a su predecesor gracias a la incorporación de 2.048 terminales de entrada/salida (I/O), el doble de la generación anterior. Además, mejora la eficiencia energética en más de un 40 %, un factor crítico en un contexto donde los centros de datos enfrentan costes eléctricos cada vez más elevados. Según los cálculos de la compañía, su integración en sistemas de inteligencia artificial podría incrementar el rendimiento de los servicios hasta en un 69 %, aliviando los cuellos de botella de datos y reduciendo los costes energéticos de manera significativa.
Más allá de los estándares de la industria
La JEDEC, organismo internacional encargado de estandarizar la microelectrónica, había fijado una velocidad operativa de referencia de 8 Gbps para este tipo de memorias. SK hynix asegura haber superado ese listón al implementar una velocidad superior a 10 Gbps, lo que convierte al HBM4 en el producto más rápido de su categoría.
Para garantizar la estabilidad del proceso de fabricación, la empresa ha adoptado la tecnología MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) avanzada, que facilita la disipación térmica y mejora la fiabilidad en la apilación de chips. Asimismo, ha empleado su tecnología de 1bnm, quinta generación de la litografía de 10 nanómetros, lo que permite un mejor control de deformaciones y reduce el riesgo en la producción masiva.
Respuesta al auge de la inteligencia artificial
El lanzamiento del HBM4 no llega en un vacío tecnológico. La explosión de modelos de IA generativa, sistemas de entrenamiento de gran escala y aplicaciones de análisis masivo de datos han disparado la demanda de memorias capaces de alimentar GPUs y aceleradores especializados.
El consumo energético de los centros de datos es hoy uno de los principales desafíos globales: se estima que este sector ya representa más del 3 % del consumo eléctrico mundial, y el auge de la IA amenaza con duplicar esa cifra en la próxima década. En ese escenario, cada mejora en eficiencia energética, como la del HBM4, tiene un impacto directo en sostenibilidad y costes operativos.
Declaraciones de los responsables
Para Joohwan Cho, director de desarrollo de HBM en SK hynix, este avance “marca un nuevo hito para la industria. Al ofrecer un producto que responde a las necesidades de rendimiento, eficiencia energética y fiabilidad de los clientes, garantizamos no solo el cumplimiento de los plazos de mercado, sino también una posición competitiva sólida”.
Por su parte, Justin Kim, presidente y responsable de Infraestructura de IA en SK hynix, destacó que el HBM4 representa “un punto de inflexión simbólico más allá de las limitaciones actuales de la infraestructura de inteligencia artificial. Este producto será esencial para superar los retos tecnológicos de la próxima década”.
Una apuesta estratégica
La memoria HBM4 será clave en la carrera por liderar la era de la IA. Empresas como NVIDIA, AMD e Intel dependen de proveedores de memoria como SK hynix, Samsung y Micron para equipar sus GPUs y aceleradores de nueva generación. Controlar esta tecnología no solo garantiza contratos millonarios con los grandes fabricantes de hardware, sino también una posición de privilegio en un mercado en el que Asia y, especialmente, Corea del Sur, han consolidado su dominio.
Con este anuncio, SK hynix refuerza su papel como uno de los tres gigantes mundiales de la memoria, junto con Samsung y Micron, y subraya que su estrategia pasa por convertirse en un proveedor integral de soluciones de memoria para IA, abarcando desde la DRAM de alto rendimiento hasta el almacenamiento NAND flash.
Conclusión
El desarrollo del HBM4 coloca a SK hynix en la primera línea de la revolución tecnológica impulsada por la inteligencia artificial. La combinación de mayor velocidad, eficiencia energética y fiabilidad en la producción lo convierten en un producto destinado a marcar los próximos años en la industria de semiconductores. En un momento en que la demanda de infraestructura de IA no deja de crecer, esta innovación podría definir la diferencia entre los actores que lideren el mercado y los que se queden rezagados.
Preguntas frecuentes
¿Qué es la memoria HBM4 y para qué sirve?
El HBM4 (High Bandwidth Memory de cuarta generación) es una memoria DRAM de alto ancho de banda diseñada para aplicaciones de inteligencia artificial, computación de alto rendimiento y centros de datos. Permite duplicar la velocidad de procesamiento de datos respecto a la generación anterior y mejora la eficiencia energética en más de un 40 %.
¿Qué mejoras ofrece SK hynix HBM4 frente a HBM3E?
El HBM4 incorpora 2.048 terminales de entrada/salida, el doble que la generación previa, lo que permite duplicar el ancho de banda. Además, alcanza velocidades superiores a 10 Gbps frente al estándar de 8 Gbps y logra un ahorro energético notable, lo que lo convierte en la opción más avanzada del mercado.
¿Cuándo estará disponible en el mercado el HBM4?
SK hynix ha confirmado que ya cuenta con un sistema de producción en masa preparado, lo que convierte a la compañía en la primera del mundo en anunciar la fabricación a gran escala de HBM4 en 2025.
¿Qué impacto tendrá el HBM4 en la inteligencia artificial y los centros de datos?
La memoria HBM4 permitirá acelerar el entrenamiento y la inferencia de modelos de IA, reducir los cuellos de botella en el procesamiento de datos y disminuir los costes energéticos de los centros de datos. Esto se traducirá en servicios más rápidos, sostenibles y rentables para empresas y usuarios finales.
vía: news.skhynix
