Samsung Electronics está preparando el terreno para la producción de su próxima generación de DRAM de clase 10 nm, conocida como 1d DRAM. Según fuentes de la industria, la compañía trabaja con varios socios de equipamiento para introducir maquinaria de producción en masa durante el segundo o tercer trimestre del próximo año, con el objetivo de iniciar las primeras fases productivas hacia finales de 2027 si el calendario avanza sin retrasos.
La información no ha sido confirmada oficialmente por Samsung, pero encaja con la presión que vive el mercado de memoria. La inteligencia artificial ha convertido la DRAM avanzada y la memoria HBM en componentes críticos para centros de datos, GPUs, aceleradores y servidores. En ese contexto, cada salto de nodo cuenta: más densidad, menor consumo, mejor rendimiento y más capacidad para alimentar futuras generaciones de memoria de alto ancho de banda.
El punto clave es que la 1d DRAM no sería una memoria más dentro del catálogo. Podría convertirse en la base de chips destinados a generaciones posteriores de HBM, incluida HBM5E hacia finales de la década. Para Samsung, que ha peleado por recuperar impulso frente a SK hynix y Micron en memoria para IA, estabilizar esta tecnología será una prueba industrial de primer nivel.
Qué es la DRAM 1d y por qué importa
La nomenclatura de DRAM puede resultar confusa. Cuando se habla de 1a, 1b, 1c o 1d no se está usando una escala comercial tan visible como los nodos lógicos de 3 nm o 2 nm. Se trata de generaciones sucesivas dentro de la familia de DRAM de clase 10 nm. Cada letra indica una reducción adicional y mejoras en proceso, densidad y eficiencia.
La 1d DRAM se sitúa como séptima generación de DRAM de clase 10 nm y, según la información de industria, tendría líneas en torno a 10 u 11 nanómetros. La generación 1c, ya utilizada en productos recientes, se movería aproximadamente en el rango de 11 a 12 nanómetros. La diferencia parece pequeña, pero en memoria puede ser decisiva cuando se producen millones de chips y se apilan múltiples capas en paquetes HBM.
| Generación DRAM | Posición tecnológica | Papel esperado |
|---|---|---|
| 1b | Quinta generación de clase 10 nm | DRAM avanzada previa |
| 1c | Sexta generación de clase 10 nm | Base para HBM4 y HBM4E |
| 1d | Séptima generación de clase 10 nm | Candidata para futuras memorias HBM5E |
| 10a / sub-10 nm | Siguiente salto más agresivo | Producción más adelante, aún en desarrollo |
| 3D DRAM | Arquitectura futura | Ruta posible para la próxima década |
Reducir el tamaño de las celdas DRAM permite fabricar más memoria por oblea, mejorar eficiencia energética y aumentar capacidad. Pero cada generación es más difícil. La DRAM depende de estructuras extremadamente pequeñas, condensadores complejos, litografía avanzada, materiales precisos y un control de defectos muy exigente. No basta con diseñar el proceso: hay que fabricar con buen rendimiento y a volumen.
Ese es el motivo por el que algunas previsiones que apuntaban a producción de 1d DRAM este mismo año parecen poco realistas. Si el equipamiento clave sigue en desarrollo y validación, la producción en masa difícilmente puede arrancar antes de completar pruebas, instalación, cualificación y estabilización de yield.
La IA cambia la prioridad de la memoria
El auge de la IA ha colocado a la memoria en el centro de la cadena de valor. Durante años, la atención se centró en GPUs, CPUs y nodos lógicos. Ahora el cuello de botella está también en el ancho de banda, la capacidad y la eficiencia de la memoria que alimenta esos aceleradores.
HBM se ha convertido en la memoria más deseada para entrenamiento e inferencia avanzada. Se apila verticalmente, se conecta mediante interposers o tecnologías avanzadas de packaging y ofrece un ancho de banda muy superior al de memorias convencionales. Pero para fabricar HBM competitiva hace falta DRAM de última generación, buen apilado, TSV, packaging avanzado, control térmico y capacidad de producción.
| Memoria | Uso principal | Relevancia para IA |
| DDR5 | Servidores generales y PCs | Capacidad y coste equilibrado |
| LPDDR | Móviles y algunos sistemas eficientes | Bajo consumo |
| GDDR | Gráfica e inferencia en algunos aceleradores | Alto ancho de banda, menor coste que HBM |
| HBM3E | GPUs y aceleradores actuales | Memoria clave para IA avanzada |
| HBM4 / HBM4E | Siguiente generación para IA | Más ancho de banda y eficiencia |
| HBM5 / HBM5E | Final de década | Mayor integración y exigencia tecnológica |
Samsung ya ha empezado a enviar muestras de HBM4E de 12 capas, con velocidades anunciadas de hasta 16 Gbps y mejoras de eficiencia y comportamiento térmico. Esa generación se apoya en la experiencia de HBM4 y en el proceso 1c DRAM. El paso siguiente será sostener una hoja de ruta que permita competir en HBM5 y HBM5E, donde la 1d DRAM podría jugar un papel importante.
La batalla con SK hynix y Micron se decide en el yield
Samsung no compite sola. SK hynix ha liderado buena parte del mercado HBM ligado a GPUs de IA, mientras Micron también ha ganado visibilidad con HBM3E y productos para centros de datos. En este mercado, llegar pronto no siempre basta. Los grandes clientes, especialmente diseñadores de aceleradores, exigen capacidad, consumo, rendimiento, estabilidad térmica, packaging fiable y entregas sostenidas.
El yield será una variable crítica. Una tecnología avanzada puede ser prometedora en muestras, pero si produce demasiados chips defectuosos o inestables, el coste real se dispara. En memoria, donde los volúmenes son enormes y los márgenes pueden oscilar con fuerza, la diferencia entre un proceso maduro y uno problemático puede decidir contratos enteros.
| Factor competitivo | Por qué pesa en HBM |
| Yield de DRAM | Determina coste y volumen real |
| Capacidad de apilado | Permite más capas y más capacidad |
| Control térmico | Evita degradación en aceleradores de IA |
| Eficiencia energética | Reduce consumo por servidor |
| Validación con clientes | Decide adopción en GPUs y ASICs |
| Calendario de producción | Marca ventaja en ciclos de producto |
Samsung tiene una ventaja singular: puede combinar memoria, lógica, foundry y packaging dentro del mismo grupo. Esa integración puede ayudar en generaciones como HBM5, donde el die base lógico, el apilado y la DRAM deben trabajar de forma más coordinada. Pero esa ventaja solo se convierte en negocio si la ejecución industrial acompaña.
Equipamiento y socios: la parte menos visible del salto
La información de industria apunta a que Samsung está desarrollando equipamiento de producción de 1d DRAM con varios socios. Este detalle es más importante de lo que parece. Los saltos de memoria dependen mucho de herramientas de litografía, deposición, grabado, metrología, inspección y control de proceso.
Si una máquina crítica aún no está lista, todo el calendario se desplaza. Primero hay que desarrollar el equipo. Después instalarlo. Luego validar el proceso. Más tarde producir muestras, medir rendimiento, corregir defectos, elevar yield y cualificar clientes. Por eso el arranque comercial real suele ir por detrás de los titulares tecnológicos.
| Fase | Qué ocurre |
| Desarrollo de equipo | Ajuste de maquinaria con proveedores |
| Instalación | Entrada de herramientas en línea |
| Muestras iniciales | Validación de proceso y rendimiento |
| Cualificación | Pruebas internas y con clientes |
| Producción inicial | Volúmenes limitados |
| Producción en masa | Escalado con yield estable |
Fuentes del sector citadas en la información original sitúan la introducción de equipos en el segundo o tercer trimestre del próximo año. Con ese calendario, el arranque de producción inicial a finales de 2027 parece más razonable que una producción en masa durante 2026.
HBM5E: la razón estratégica de fondo
El verdadero interés de la 1d DRAM está en las generaciones posteriores de HBM. Los informes de industria apuntan a que Samsung podría usar 1d como die central en HBM5E, una memoria que se espera hacia 2029. Antes debería llegar HBM5, que algunos medios surcoreanos sitúan alrededor de 2028, con configuraciones de 12, 16 y hasta 20 capas en desarrollo.
HBM5E no será solo “más memoria”. Tendrá que responder a aceleradores de IA con más parámetros, más ancho de banda, más consumo y más densidad por rack. También deberá integrarse con nuevas técnicas de packaging y con dies base más avanzados, posiblemente fabricados en nodos lógicos muy competitivos.
| Generación HBM | Estado aproximado |
| HBM3E | Despliegue comercial actual en IA |
| HBM4 | Entrada en producción y primeros envíos en 2026 |
| HBM4E | Muestras y validación con clientes |
| HBM5 | Preparación para finales de la década |
| HBM5E | Posible uso de 1d DRAM como base de memoria |
Para Samsung, la 1d DRAM puede ser la tecnología que le permita mejorar densidad y eficiencia en esa transición. Pero también aumenta la dificultad. Cuanto más avanzada es la DRAM, más exigente es el control de proceso. Cuantas más capas tiene HBM, más complejo es el apilado y la disipación térmica.
Un calendario con margen de incertidumbre
La industria de memoria vive ciclos rápidos, pero no mágicos. El hecho de que Samsung tenga muestras iniciales o avances internos no significa que la producción comercial esté resuelta. Los plazos pueden moverse por problemas de equipo, yield, validación de clientes, demanda real o priorización de capacidad hacia productos más rentables.
También existe una tensión entre 1c y 1d. Si la demanda de HBM4 y HBM4E basada en 1c es muy fuerte, Samsung podría priorizar expansión y madurez de 1c antes de forzar el salto a 1d. Esto ya ha ocurrido en otras generaciones: una tecnología más estable puede ser más rentable a corto plazo que una más avanzada pero todavía inmadura.
| Escenario | Implicación |
| 1d avanza según calendario | Producción inicial hacia finales de 2027 |
| Retraso de equipamiento | El arranque se desplaza a 2028 |
| Fuerte demanda de 1c | Samsung prioriza HBM4/HBM4E |
| Mejor yield de 1d | Acelera adopción para HBM5E |
| Validación lenta de clientes | Producción comercial tarda más |
La prudencia es necesaria porque Samsung no ha comunicado oficialmente un calendario cerrado para producción masiva de 1d DRAM. Aun así, la dirección tecnológica parece clara: la compañía necesita una nueva generación de DRAM para sostener su ambición en memoria de IA.
La memoria vuelve al centro de la geopolítica tecnológica
El avance de 1d DRAM también tiene lectura geopolítica. Corea del Sur, Estados Unidos, Taiwán, Japón y China están intentando asegurar posiciones en distintas partes de la cadena de semiconductores. La memoria, que durante años fue tratada como un mercado cíclico y de volumen, vuelve a tener un valor estratégico enorme por la IA.
Samsung es una pieza central para Corea del Sur. No solo fabrica DRAM y NAND. También desarrolla foundry, lógica, packaging y electrónica de consumo. En una industria donde la IA está absorbiendo capacidad y capital, mantener liderazgo en memoria es vital para no depender de rivales en un componente básico de los centros de datos.
La presión no viene solo de SK hynix y Micron. También viene de los grandes clientes, que quieren más oferta para evitar cuellos de botella. NVIDIA, AMD, Google, Amazon, Microsoft y otros diseñadores de aceleradores necesitan que haya varios proveedores capaces de entregar HBM avanzada. Un Samsung fuerte mejora la resiliencia de la cadena, pero solo si logra igualar o superar los requisitos de rendimiento y calidad.
Una carrera que se gana con fábricas, no con anuncios
La noticia sobre 1d DRAM muestra que Samsung está preparando su siguiente salto, pero la prueba llegará en fábrica. La memoria avanzada no se gana con una muestra prometedora ni con una fecha interna. Se gana con equipos instalados, producción estable, yields altos y clientes dispuestos a integrar la tecnología en plataformas de IA.
Si Samsung consigue iniciar producción inicial de 1d DRAM hacia finales de 2027, tendrá una base más sólida para competir en HBM5E. Si el calendario se retrasa, puede seguir apoyándose en 1c para HBM4E, pero perdería margen en la siguiente generación.
La carrera de la IA ha devuelto protagonismo a una verdad clásica del hardware: los modelos pueden captar titulares, pero sin memoria suficiente no escalan. Cada mejora en DRAM, HBM y packaging define cuántos datos puede mover un acelerador, cuánta energía consume y cuántos servidores puede desplegar un centro de datos sin disparar costes.
Samsung lo sabe. Por eso 1d DRAM no es solo otro nodo de memoria. Es una apuesta para recuperar terreno en la parte más rentable y estratégica del mercado: la memoria que alimenta la Inteligencia Artificial.
Preguntas frecuentes
¿Qué es la 1d DRAM de Samsung?
La 1d DRAM es la séptima generación de DRAM de clase 10 nm de Samsung. Se espera que reduzca el tamaño de línea frente a 1c y mejore densidad, rendimiento y eficiencia energética.
¿Cuándo podría empezar su producción?
Según fuentes de industria, Samsung estaría preparando equipos para introducirlos en 2027. La producción inicial podría comenzar hacia finales de ese año, aunque el calendario puede cambiar.
¿Por qué es importante para la IA?
Porque la 1d DRAM podría servir como base para futuras generaciones de memoria HBM, especialmente HBM5E, necesaria para aceleradores y servidores de Inteligencia Artificial.
¿Qué relación tiene con HBM4E?
Samsung ya está enviando muestras HBM4E basadas en su proceso 1c DRAM. La 1d DRAM sería el siguiente paso para generaciones posteriores, con más densidad y eficiencia.
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