El futuro de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) se juega, literalmente, en capas. Mientras la industria tecnológica busca superar los límites del escalado tradicional, investigadores europeos han presentado un avance clave en el crecimiento epitaxial de multicapas de silicio y silicio-germanio (Si/SiGe), un paso esencial hacia dispositivos de
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