La compañía estadounidense lanza una innovación que promete mayor ancho de banda, menor consumo energético y ahorro de espacio en silicio, dirigida a la infraestructura cloud y clústeres de inteligencia artificial.
Marvell Technology ha vuelto a situarse en el centro de la conversación tecnológica con un anuncio que puede redefinir el futuro de la memoria en los centros de datos. La firma con sede en Santa Clara (California) ha presentado la primera memoria SRAM personalizada de 2 nanómetros de la industria, un avance que busca responder a una de las grandes limitaciones de la era de la inteligencia artificial: la velocidad, eficiencia y densidad de la memoria dentro de los chips.
El anuncio llega en un momento clave. El auge de los modelos de IA generativa, los clústeres de entrenamiento con miles de GPUs y las exigencias de las aplicaciones en la nube están llevando las infraestructuras a un límite en el que el almacenamiento y la transferencia de datos se convierten en cuellos de botella cada vez más costosos. La nueva SRAM personalizada de Marvell promete aliviar esa presión con un diseño que combina un ancho de banda sin precedentes de hasta 6 gigabits de memoria de alta velocidad con una reducción de hasta un 66% en el consumo de energía en modo standby y un ahorro de hasta el 15% en área de silicio frente a soluciones comparables.
Un salto de escala en la jerarquía de memoria
La memoria SRAM (Static Random Access Memory) es fundamental en la jerarquía de cualquier procesador. Actúa como almacenamiento ultrarrápido dentro del propio chip, permitiendo que las unidades de cómputo accedan a datos sin tener que recurrir constantemente a memorias externas más lentas. Sin embargo, su diseño y escalabilidad han representado retos técnicos y económicos, sobre todo en nodos de fabricación tan avanzados como el de 2 nm.
Marvell asegura que su innovación consigue el mayor ancho de banda por milímetro cuadrado de la industria, lo que significa que los diseñadores de chips pueden aprovechar mejor cada fracción de silicio. Al liberar hasta un 15% del área total en diseños de 2 nm, los fabricantes disponen de un margen adicional que puede dedicarse a añadir más núcleos de cómputo, incrementar la memoria total o reducir el tamaño y el coste de los dispositivos.
El nuevo diseño, capaz de operar a frecuencias de hasta 3,75 GHz, también introduce mejoras arquitectónicas en la ruta de datos, optimizando la forma en la que la información fluye dentro del chip y reduciendo pérdidas energéticas.
El contexto: más memoria, más velocidad, menos energía
El desafío de la memoria es uno de los más críticos en la era post-Moore. Durante más de cinco décadas, la industria de semiconductores confió en la reducción del tamaño de los transistores para aumentar la potencia y eficiencia de los procesadores. Pero en la actualidad, los costes y limitaciones físicas del escalado obligan a buscar nuevas vías: personalización, empaquetado 3D, interconexiones ópticas y, como en este caso, memorias a medida que exprimen al máximo las capacidades del silicio disponible.
“La personalización es el futuro de la infraestructura de IA”, afirmó Will Chu, vicepresidente senior de soluciones cloud personalizadas en Marvell. “Las metodologías y tecnologías que hoy usan los grandes hiperescalares para desarrollar XPUs de vanguardia se extenderán a más clientes, más tipos de dispositivos y más aplicaciones”.
En este sentido, la SRAM de 2 nm se suma a un ecosistema de innovaciones recientes de Marvell, como su tecnología CXL (Compute Express Link), que permite añadir terabytes de memoria adicional a los servidores cloud, y sus soluciones de HBM (High Bandwidth Memory) personalizadas, que aumentan la capacidad hasta un 33% reduciendo espacio y consumo.
IA y cloud: los grandes beneficiados
La presión de la IA sobre la memoria es evidente. Cada modelo de lenguaje o sistema multimodal necesita procesar billones de parámetros en tiempo real, lo que exige memorias internas ultrarrápidas para alimentar las unidades de cómputo sin retrasos.
Alan Weckel, cofundador de la firma de análisis 650 Group, lo resumió así: “La memoria sigue siendo uno de los mayores retos para los clústeres de IA y las nubes. Estos sistemas necesitan tanta memoria como sea posible, y lo más rápida posible. El enfoque holístico de Marvell para mejorar el rendimiento de la memoria en cada punto —en el dado, dentro del paquete y en el sistema— resulta muy convincente”.
La adopción de SRAM personalizada a 2 nm permitirá a los grandes centros de datos no solo acelerar el entrenamiento y la inferencia de modelos, sino también optimizar el consumo energético, un factor que se ha convertido en una preocupación crítica tanto por costes como por sostenibilidad.
Una plataforma personalizada en la era post-Moore
La estrategia de Marvell no se limita a lanzar un producto. La empresa enmarca este avance dentro de su plataforma personalizada de tecnologías, diseñada para un mundo donde el escalado tradicional ya no es suficiente.
La compañía combina expertise en diseño de sistemas y semiconductores, procesos de fabricación avanzados y una cartera de soluciones que incluye desde interconexiones eléctricas y ópticas (SerDes), enlaces die-to-die en 2D y 3D, fotónica de silicio, memorias HBM personalizadas, tejidos SoC y conectividad PCIe Gen 7.
El objetivo es colaborar estrechamente con los clientes —desde hiperescalares hasta empresas de telecomunicaciones y automoción— para crear soluciones adaptadas que transformen el rendimiento, la eficiencia y el valor de las infraestructuras digitales.
Impacto en la industria y en Europa
La llegada de SRAM de 2 nm personalizada también tiene implicaciones para la industria europea. Con proyectos como el eProcessor (financiado por la Unión Europea para crear procesadores abiertos basados en RISC-V), la demanda de memoria optimizada será clave para que Europa logre independencia tecnológica y competitividad en IA y HPC.
Además, la estrategia de Marvell refuerza una tendencia clara: el futuro no está en soluciones genéricas, sino en chips y memorias personalizadas diseñadas en colaboración con los clientes. Esto redefine la relación entre fabricantes de semiconductores y usuarios finales, que pasan a influir más directamente en cómo se construyen las tecnologías que sustentan sus negocios.
Conclusión: un paso decisivo hacia la memoria del futuro
Con la SRAM personalizada de 2 nm, Marvell no solo da un golpe de efecto en el competitivo mercado de semiconductores, sino que abre la puerta a una nueva era de infraestructura de IA más eficiente, potente y sostenible.
Al liberar área de silicio, reducir drásticamente el consumo energético y ofrecer mayor velocidad, esta innovación coloca a la compañía en la vanguardia de un sector que busca desesperadamente soluciones para manejar el tsunami de datos que genera la inteligencia artificial.
La memoria ha sido históricamente vista como un cuello de botella. Con este lanzamiento, Marvell quiere transformarla en un acelerador.
Preguntas frecuentes (FAQs)
1. ¿Qué diferencia a la SRAM de 2 nm de Marvell de otras memorias actuales?
Ofrece hasta 6 Gb de ancho de banda de alta velocidad, un ahorro de área de hasta el 15% en diseños de 2 nm y un consumo en standby hasta un 66% inferior, lo que la convierte en la más eficiente del mercado.
2. ¿Por qué es importante la memoria SRAM en inteligencia artificial?
La SRAM actúa como memoria interna ultrarrápida dentro de los procesadores. Es clave para alimentar a las GPUs y XPUs sin retrasos, algo crítico en el entrenamiento e inferencia de modelos de IA.
3. ¿Qué otros avances ha desarrollado Marvell en memoria?
La compañía también ha introducido tecnologías como CXL para ampliar memoria en servidores cloud y HBM personalizada para aumentar capacidad en un 33% con menor consumo.
4. ¿Cuál es el impacto de esta innovación en los centros de datos?
Permite mayor rendimiento por vatio, menor coste operativo y más flexibilidad de diseño en clústeres de IA y nubes, contribuyendo a una infraestructura más sostenible y escalable.
vía: marvell
