Intel Foundry ha vuelto a mover ficha en uno de esos frentes que suelen pasar más desapercibidos que una nueva CPU o una GPU, pero que pueden tener un impacto enorme en la próxima década: la electrónica de potencia y las interconexiones de alta frecuencia. La compañía ha anunciado que ha logrado desarrollar, según sus propios datos, el chiplet de nitruro de galio o GaN más fino del mundo, con una base de silicio de solo 19 micras de grosor. La demostración se presentó originalmente en IEDM 2025, pero Intel la está utilizando ahora para reforzar un mensaje claro: su negocio de fundición no quiere jugar solo en nodos lógicos avanzados, sino también en materiales y tecnologías especializadas con recorrido en centros de datos, telecomunicaciones y sistemas de alta eficiencia.

La cifra, por sí sola, llama la atención. Esas 19 micras equivalen aproximadamente a una quinta parte del grosor de un cabello humano. Pero el dato importante no es solo lo delgado del chiplet, sino lo que Intel dice haber conseguido alrededor de él: una tecnología basada en obleas de 300 mm de GaN sobre silicio, con transistores GaN integrados junto a circuitos digitales basados en silicio dentro del mismo chiplet y bajo un único proceso integrado. Si esa aproximación madura más allá de la fase de demostración, Intel cree que podría abrir la puerta a componentes más compactos, rápidos y eficientes para regulación de potencia, radiofrecuencia y otras aplicaciones de alto rendimiento.

Más que un récord de laboratorio

La forma más prudente de leer este anuncio es separar el titular llamativo de su significado real. Intel habla de un hito tecnológico y, con la información pública disponible, eso parece razonable. La compañía ha explicado que se trata de la primera tecnología completa de chiplet GaN construida sobre obleas de 300 mm GaN-on-silicon, algo relevante porque ese formato encaja mejor con infraestructuras de fabricación ya extendidas en la industria del silicio. Además, el trabajo fue presentado en IEDM 2025, uno de los congresos técnicos más respetados del sector de dispositivos electrónicos, lo que le da un respaldo técnico mucho más sólido que un simple reclamo comercial.

Lo que Intel está intentando resolver aquí es una tensión cada vez más visible en la electrónica moderna: cada nueva generación de sistemas exige más densidad de potencia, más velocidad y menos espacio. Eso vale para aceleradores de IA, servidores, infraestructura de telecomunicaciones y también para múltiples sistemas industriales y aeroespaciales. El silicio tradicional sigue siendo la base del sector, pero en determinadas cargas de potencia y frecuencia empieza a acercarse a límites físicos y térmicos donde materiales como el GaN resultan más atractivos.

El nitruro de galio lleva años siendo uno de los candidatos más prometedores para esta transición. Frente al silicio, puede trabajar con mayor densidad de potencia, conmutar más rápido y operar de forma más eficiente en ciertos rangos térmicos y eléctricos. Por eso su nombre aparece cada vez más en cargadores rápidos, electrónica de potencia, front-end de radiofrecuencia y sistemas de alimentación avanzados. Lo que Intel Foundry intenta ahora es llevar ese potencial un paso más allá integrándolo en un formato chiplet y, además, con control digital monolítico en el mismo dado.

Qué cambia para centros de datos y redes

Uno de los campos donde Intel ve más aplicación inmediata es el del centro de datos. La propia compañía sostiene que estos chiplets GaN podrían usarse en reguladores de voltaje más pequeños y eficientes, colocados mucho más cerca del procesador. Ese detalle es importante porque la proximidad física a la carga reduce pérdidas resistivas y mejora la entrega de energía, algo especialmente valioso en plataformas donde cada vatio cuenta y donde las corrientes son cada vez más agresivas por el auge de la IA y del cómputo acelerado.

También hay una lectura clara para el mundo de las telecomunicaciones. Intel destaca que el GaN tiene un perfil muy atractivo para tecnología de radiofrecuencia, especialmente en futuras estaciones base 5G y 6G, gracias a su capacidad para funcionar en frecuencias muy altas. La compañía incluso menciona que su comportamiento potencial por encima de 200 GHz lo posiciona bien para bandas centimétricas y milimétricas de próxima generación. A eso se suman posibles usos en radar, comunicaciones por satélite o fotónica, sectores donde la velocidad de conmutación y la eficiencia energética siguen siendo factores críticos.

Ahora bien, conviene no adelantarse demasiado. Intel no ha anunciado un producto comercial inmediato ni una fecha de mercado para esta tecnología. Lo que ha mostrado es una plataforma de investigación con resultados prometedores de fiabilidad, incluyendo pruebas como TDDB, pBTI, HTRB y HCI, que son básicas para evaluar si un nuevo dispositivo puede aspirar a una vida útil realista fuera del laboratorio. Eso no significa que el salto a producción esté cerrado, pero sí que Intel quiere transmitir que no se trata solo de una maqueta académica.

Un movimiento que encaja con la estrategia de Intel Foundry

Este anuncio también ayuda a entender mejor la estrategia de Intel Foundry. La compañía lleva tiempo insistiendo en que quiere competir no solo con nodos lógicos avanzados, sino con una cartera más amplia de tecnologías diferenciadas: empaquetado, materiales, fotónica, interconexión y ahora también chiplets especializados de GaN. En un momento en que el mercado demanda soluciones cada vez más heterogéneas, tener capacidad para fabricar no solo CPU o GPU, sino también componentes complementarios de potencia, RF o control integrado, puede convertirse en una ventaja competitiva importante.

Además, Intel subraya otro punto nada menor: al usar obleas estándar de 300 mm sobre silicio, esta aproximación podría aprovechar mejor parte de la infraestructura fab ya existente, reduciendo la necesidad de inversiones radicalmente nuevas. Esa promesa, si se confirma en procesos industriales reales, sería especialmente interesante para un mercado que busca más rendimiento y eficiencia sin disparar los costes de fabricación en cada paso.

En otras palabras, Intel no está vendiendo aquí un chiplet fino por puro espectáculo. Está intentando demostrar que puede llevar materiales alternativos como el GaN al terreno industrial de los chiplets, donde la miniaturización, la eficiencia y la integración serán cada vez más determinantes. Queda por ver cuánto tarda eso en convertirse en producto comercial y qué grado de adopción logra fuera de la investigación. Pero como señal tecnológica, el movimiento merece atención: en la próxima generación de centros de datos y redes, la batalla no se librará solo en los grandes procesadores, sino también en los componentes que les entregan energía y velocidad de forma mucho más inteligente.

Preguntas frecuentes

¿Qué es un chiplet de GaN y por qué importa?
Es un pequeño chip basado en nitruro de galio, un material muy valorado por su eficiencia en potencia y alta frecuencia. Importa porque puede ayudar a crear componentes más compactos y eficientes para centros de datos, telecomunicaciones y sistemas avanzados.

¿Qué ha anunciado exactamente Intel Foundry?
Intel asegura haber desarrollado el chiplet GaN más fino del mundo, con una base de silicio de 19 micras, fabricado sobre obleas de 300 mm GaN-on-silicon e integrado con control digital en el mismo chiplet.

¿Esta tecnología ya está lista para venderse?
No. Por ahora se trata de una demostración tecnológica presentada en IEDM 2025 y publicitada ahora por Intel. La compañía habla de resultados prometedores y de posible aplicación real, pero no ha anunciado todavía un producto comercial concreto.

¿Dónde podría usarse esta tecnología en el futuro?
Intel apunta a reguladores de voltaje para centros de datos, estaciones base 5G y 6G, sistemas de radar, comunicaciones por satélite y aplicaciones fotónicas, entre otras.