Intel Foundry Services ha alcanzado un hito significativo en el campo de la fabricación de semiconductores con la instalación y calibración del primer sistema de litografía ultravioleta extremo (EUV) de alta apertura numérica (High NA) en la industria. Este avance, ubicado en su sitio de I+D en Hillsboro, Oregón, promete revolucionar la producción de los próximos procesadores, marcando un paso adelante significativo en la miniaturización de componentes electrónicos.
Un Salto Hacia el Futuro con High NA EUV
El sistema TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV, desarrollado por ASML, permite a Intel no solo mantener, sino también extender su liderazgo en el ámbito de la tecnología de procesamiento de semiconductores más allá de su actual proceso Intel 18A. Esta tecnología, que resulta de décadas de colaboración entre Intel y ASML, se distingue por su capacidad para mejorar de manera dramática la resolución y el escalado de características en la fabricación de chips, fundamental para el avance en áreas como la inteligencia artificial y otras tecnologías emergentes.
¿Por Qué es Importante High NA EUV?
El uso de la tecnología High NA EUV es crucial para el desarrollo de chips avanzados y la producción de procesadores de nueva generación. Este sistema ofrece una precisión y escalabilidad sin precedentes en la fabricación de chips, posibilitando la creación de componentes con las características más innovadoras. Además, esta herramienta ha establecido un nuevo récord mundial al imprimir las líneas más finas observadas hasta la fecha – 10 nanómetros de densidad en las instalaciones de ASML en Veldhoven, Países Bajos.
Implicaciones de la Nueva Tecnología para Intel y la Industria
Con la implementación de High NA EUV, Intel no solo afianza su posición en el mercado de semiconductores sino que también establece nuevas bases para el futuro de la fabricación de microprocesadores. Se espera que esta tecnología, combinada con otros procesos de fabricación de Intel, permita la producción de chips hasta 1.7 veces más pequeños que los actuales, resultando en una densidad hasta 2.9 veces mayor.
El desarrollo de High NA EUV representa un avance considerable hacia la era de los angstroms, un período que verá a Intel y a la industria en general avanzar en la miniaturización y en la capacidad de los chips, lo cual es esencial para soportar las demandas crecientes de tecnologías avanzadas y de consumo de energía eficiente.
Un Compromiso Continuo con la Innovación y el Desarrollo
Intel ha demostrado su compromiso con la investigación y el desarrollo a través de inversiones sustanciales, como la expansión de su planta D1X en Oregon. Esta instalación, ampliada con una inversión de más de 3 mil millones de dólares, no solo fortalece la infraestructura de R&D de Intel sino que también contribuye al crecimiento económico y tecnológico de los Estados Unidos, alineándose con los objetivos nacionales de seguridad y economía.
La adopción de la tecnología High NA EUV coloca a Intel en la vanguardia del escalado de la Ley de Moore, promoviendo una nueva generación de tecnología y fabricación de semiconductores en EE. UU. y posicionando a la empresa para acelerar la próxima era de la tecnología de semiconductores.
