IBM y Lam Research han anunciado una nueva colaboración de cinco años con un objetivo que apunta directamente al futuro de la industria de los semiconductores: desarrollar materiales, procesos de fabricación y técnicas de litografía High NA EUV que permitan seguir reduciendo la escala de los chips lógicos por debajo del nodo de 1 nanómetro. El anuncio no implica que los chips sub-1 nm vayan a llegar al mercado a corto plazo, pero sí confirma que ambas compañías quieren posicionarse en una de las carreras tecnológicas más complejas y decisivas de la próxima década.

La alianza parte, además, de una relación previa con bastante peso dentro del sector. IBM y Lam recuerdan que llevan más de una década colaborando en tecnologías de fabricación avanzadas y que ese trabajo conjunto ya estuvo detrás de hitos relacionados con procesos de 7 nm, arquitecturas nanosheet y avances en litografía EUV. IBM también subraya que en 2021 presentó su primer chip de 2 nm, una demostración tecnológica que sirvió para reforzar su papel como actor de referencia en investigación de semiconductores, aunque no fabrique chips masivamente como una foundry al estilo de TSMC o Samsung.

Una apuesta de investigación, no un producto inmediato

Lo más importante del anuncio es entender bien qué se ha firmado. No se trata de una nueva línea de producción comercial ni de un nodo listo para entrar en fabricación en volumen, sino de un acuerdo de I+D centrado en construir y validar flujos de proceso completos para futuras generaciones de lógica avanzada. El trabajo se desarrollará sobre la hoja de ruta de escalado lógico de IBM y pondrá el foco en nuevos materiales, capacidades avanzadas de grabado y deposición, y procesos High NA EUV capaces de transferir patrones cada vez más pequeños a capas reales del dispositivo con rendimientos viables.

Ese matiz es clave porque el salto por debajo de 1 nm no depende de una sola mejora aislada. La industria ha llegado a un punto en el que seguir miniaturizando ya no consiste solo en “hacer todo más pequeño”, sino en combinar materiales nuevos, arquitecturas tridimensionales, técnicas de patterning más finas y control extremo sobre defectos, variabilidad y consumo energético. Lam, en su comunicado, lo vincula directamente a una nueva era de escalado 3D en la que materiales, procesos y litografía deben funcionar como un sistema de alta densidad mucho más integrado que antes.

El papel de la litografía High NA EUV

Uno de los elementos más relevantes de la colaboración es la apuesta explícita por la litografía High NA EUV. ASML, proveedor clave de esta tecnología, explica que sus sistemas EXE de nueva generación elevan la apertura numérica de 0,33 a 0,55, mejorando la resolución y permitiendo imprimir características mucho más pequeñas con menos necesidad de técnicas complejas de multipatronado. En el caso del sistema EXE:5000, la compañía afirma que puede alcanzar una resolución de 8 nm y fabricar elementos 1,7 veces más pequeños que los posibles con la generación anterior de EUV, lo que ayuda a aumentar notablemente la densidad de transistores.

Para IBM y Lam, esa mejora en la litografía no basta por sí sola. Por eso el acuerdo incluye también el desarrollo de procesos orientados a interconexiones y arquitecturas futuras como nanosheet, nanostack y backside power delivery. Este último punto es especialmente importante porque el suministro de energía por la cara posterior del chip se está convirtiendo en una de las técnicas más prometedoras para seguir escalando rendimiento y eficiencia sin castigar tanto el diseño frontal de interconexión. En otras palabras, el reto ya no es solo dibujar estructuras más pequeñas, sino conseguir que todo el transistor y su red eléctrica sigan siendo fabricables y útiles en producción.

Albany NanoTech y las herramientas que entran en juego

La investigación se apoyará en las capacidades de IBM en el complejo Albany NanoTech, gestionado dentro del ecosistema de NY CREATES en el estado de Nueva York, un entorno que desde hace años sirve como polo de colaboración entre grandes actores del sector. Allí se combinarán esas capacidades de investigación con herramientas y plataformas de Lam como Aether para dry resist, Kiyo y Akara para grabado, Striker y ALTUS Halo para deposición y varias tecnologías de empaquetado avanzado. NY CREATES también ha destacado públicamente la relevancia de esta colaboración para su campus, lo que refuerza el papel de Albany como uno de los grandes centros de investigación aplicada en semiconductores de Estados Unidos.

La presencia de Aether dentro del acuerdo no es un detalle menor. Lam lleva tiempo defendiendo que su tecnología de dry resist puede ayudar a superar limitaciones que se vuelven críticas en nodos avanzados, como la defectividad, el colapso de patrones o la dificultad de mantener precisión cuando los pitches siguen reduciéndose. La compañía ya había comunicado en 2025 que Aether había sido adoptada como herramienta de producción de referencia por un gran fabricante de memoria para procesos DRAM avanzados y, en publicaciones posteriores, ha insistido en que esta aproximación puede ser especialmente útil en lógica de 2 nm y por debajo.

Qué implica este anuncio para la industria

La noticia tiene una lectura estratégica clara. Mientras la demanda de chips para Inteligencia Artificial, cloud y computación de alto rendimiento sigue creciendo, la presión por mantener el ritmo del escalado tecnológico se intensifica. IBM no compite hoy en fabricación masiva de chips lógicos avanzados, pero sí conserva peso como laboratorio de tecnologías que luego pueden acabar influyendo en foundries y socios industriales. Lam, por su parte, necesita que la industria siga avanzando hacia nodos más complejos para sostener la demanda de equipos de patterning, grabado y deposición cada vez más sofisticados. Esta alianza refuerza la idea de que la siguiente gran frontera del semiconductor no se resolverá con una sola máquina o un único material, sino con cadenas completas de proceso cooptimizadas desde la investigación.

También hay un mensaje implícito para el ecosistema. High NA EUV ya ha dejado de ser una promesa lejana y empieza a entrar en una fase más tangible. ASML sostiene que esta nueva generación de sistemas está preparada para abrir una nueva etapa en fabricación avanzada, y otros actores del sector ya han empezado a instalar sus primeras herramientas comerciales. Sin embargo, entre disponer de la máquina y construir un proceso estable, rentable y con buen rendimiento hay una distancia enorme. Precisamente ahí es donde encaja el acuerdo entre IBM y Lam: en la fase menos visible, pero más decisiva, de convertir una promesa de laboratorio en una tecnología industrial viable.

En ese sentido, el anuncio no debe leerse como la llegada inminente del “chip sub-1 nm”, sino como un movimiento serio para preparar el terreno. La carrera por seguir escalando la lógica está entrando en un punto en el que cada avance cuesta más, exige más colaboración y requiere combinar litografía, química, materiales, integración 3D y nuevas arquitecturas eléctricas. IBM y Lam quieren estar en esa conversación desde el principio. Y aunque el mercado tardará años en ver resultados concretos en productos comerciales, la dirección ya está clara: el siguiente salto del semiconductor se está jugando ahora mismo en laboratorios, herramientas de proceso y líneas piloto como las de Albany.

Preguntas frecuentes

¿Qué han anunciado exactamente IBM y Lam Research?

Han firmado un acuerdo de colaboración de cinco años para investigar materiales, procesos de fabricación y técnicas de litografía High NA EUV orientadas a seguir escalando chips lógicos por debajo de 1 nm. No es un lanzamiento comercial, sino un programa de I+D.

¿Qué significa High NA EUV y por qué es importante?

High NA EUV es la nueva generación de litografía ultravioleta extrema con apertura numérica de 0,55. Según ASML, esta tecnología ofrece mejor resolución que la EUV anterior y permite imprimir características más pequeñas con menos complejidad de patterning, algo clave para futuros nodos lógicos.

¿Cuándo llegarán los chips sub-1 nm al mercado?

No hay una fecha anunciada. El acuerdo presentado por IBM y Lam está centrado en investigación y validación de procesos, por lo que los resultados industriales, si llegan, todavía están a varios años vista.

¿Qué papel juega Albany NanoTech en esta colaboración?

El trabajo se apoyará en las capacidades de investigación de IBM en el Albany NanoTech Complex, dentro del ecosistema de NY CREATES, donde ambas compañías desarrollarán y validarán flujos de proceso para futuras generaciones de dispositivos lógicos.

vía: LAM Research