
CXMT acelera su carrera por la DRAM avanzada con tecnología HKMG
El fabricante chino CXMT (ChangXin Memory Technologies) habría conseguido introducir la tecnología High-k Metal Gate (HKMG) en su proceso G4 de DRAM y en productos LPDDR5X, un avance relevante para reducir las fugas eléctricas que aparecen a medida que se miniaturizan los transistores. La compañía continúa así recortando terreno frente a Samsung, SK hynix y Micron mientras desarrolla su siguiente proceso G5, situado en torno a los 15 nanómetros. Las claves del avance de CXMT en 30 segundos El avance es especialmente interesante porque no consiste simplemente en producir más memoria. CXMT está incorporando técnicas de fabricación necesarias para seguir reduciendo el tamaño de los transistores DRAM, precisamente uno de los ámbitos donde la distancia tecnológica respecto a los tres




