El futuro de la industria de semiconductores está íntimamente ligado a la capacidad de grabar transistores cada vez más pequeños sobre obleas de silicio. Y en este terreno, ASML, la compañía neerlandesa que domina el mercado de la litografía, vuelve a marcar un hito con su sistema TWINSCAN EXE:5200B, la segunda generación de equipos de litografía EUV de alta apertura numérica (High-NA, 0,55 NA).
Este nuevo escáner supone un salto frente a los sistemas EUV convencionales (0,33 NA) y promete densidades de transistores hasta 2,9 veces mayores, reduciendo la complejidad de los procesos de fabricación y aumentando el rendimiento de las fábricas.
Qué es la litografía EUV High-NA
La litografía es el corazón del proceso de fabricación de microchips: consiste en proyectar luz sobre una oblea de silicio recubierta con material fotosensible para imprimir patrones a escala nanométrica.
- Los sistemas EUV actuales trabajan con luz de 13,5 nm de longitud de onda y una apertura numérica (NA) de 0,33.
- Con High-NA (0,55), los ingenieros logran mayor contraste de imagen y resolución de hasta 8 nm, lo que permite imprimir características 1,7 veces más pequeñas en una sola exposición.
El EXE:5200B combina esta precisión con mejoras en la fuente de luz EUV —basada en plasmas generados al vaporizar gotas de estaño con láseres— y con ópticas avanzadas desarrolladas junto a ZEISS SMT, optimizadas para reducir aberraciones.
Por qué importa: densidad y productividad
El nuevo sistema de ASML ofrece:
- 40 % más de contraste de imagen respecto a los equipos NXE actuales.
- Resolución de 8 nm, clave para futuros nodos de 14A y más allá.
- Productividad superior, al poder exponer obleas más rápido gracias a una fuente EUV más potente.
Esto se traduce en más chips por oblea, menor complejidad de procesos y mayor rendimiento en producción en masa.
De la teoría a la producción
La historia de EUV es larga: desde los primeros prototipos en los años 80 y 90 hasta el lanzamiento de los NXE:3300 en 2013. El gran despegue llegó en 2016, cuando la tecnología empezó a adoptarse en volúmenes significativos.
El paso a High-NA supone ahora una segunda revolución. El primer sistema EXE se entregó en diciembre de 2023 y la producción en volumen se espera para 2025–2026.
El coste del futuro: una inversión multimillonaria
El avance no llega sin polémica. El EXE:5200B cuesta alrededor de 380 millones de dólares por unidad, frente a los 235 millones de los equipos EUV convencionales. Este incremento de costes explica que fabricantes como Intel ya hayan advertido que sus futuros nodos (14A) serán más caros que los actuales (18A), aunque con importantes beneficios en eficiencia y densidad.
El reto es doble: justificar la inversión para los clientes de fundición y demostrar que la productividad compensará los costes iniciales.
La visión de ASML: hardware y software inseparables
Aunque muchos perciben a ASML como una empresa puramente de hardware, la compañía insiste en que sus sistemas son un híbrido de óptica, mecánica de precisión y software avanzado.
- El hardware es el “Batman”, responsable de la parte física.
- El software es el “Robin”, imprescindible para corregir imperfecciones, gestionar aberraciones y permitir que las máquinas alcancen su límite físico.
Sin estas innovaciones conjuntas, sería imposible fabricar chips con miles de millones de transistores en una oblea del tamaño de una mano.
Impacto estratégico y global
La llegada del High-NA no es solo un avance tecnológico: es un movimiento estratégico para repartir poder en la industria.
- Para Intel, es la clave de su nodo 14A y de su estrategia de fundición (IFS).
- Para TSMC y Samsung, supone decidir si adoptan High-NA pronto o exprimen EUV convencional para mantener costes más bajos.
- Para Europa, el éxito de ASML es fundamental: es la única región que controla esta tecnología crítica, en un contexto de tensiones geopolíticas y soberanía digital.
Preguntas frecuentes (FAQ) sobre EUV High-NA y el EXE:5200B
¿Qué diferencia hay entre EUV convencional y EUV High-NA?
El EUV convencional (0,33 NA) ofrece resoluciones de hasta 13 nm. El High-NA (0,55 NA) mejora el contraste y permite resoluciones de 8 nm, con densidades 2,9 veces mayores.
¿Por qué es tan caro un escáner EXE:5200B?
Porque integra ópticas de ZEISS de precisión atómica, fuentes EUV basadas en láseres de alta potencia y sistemas mecánicos capaces de mover obleas a velocidades extremas con precisión nanométrica. Cada unidad cuesta unos 380 millones de dólares.
¿Qué fabricantes usarán EUV High-NA?
Intel ya ha confirmado su uso en el nodo 14A. TSMC y Samsung aún evalúan si adoptarlo pronto o esperar.
¿Cuándo estará disponible en producción en masa?
Los primeros equipos EXE ya han sido entregados (desde 2023) y se espera que entren en producción en volumen entre 2025 y 2026.
