
La carrera hacia la memoria 3D: avances en el crecimiento epitaxial para la próxima generación de DRAM
El futuro de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) se juega, literalmente, en capas. Mientras la industria tecnológica busca superar los límites del escalado tradicional, investigadores europeos han presentado un avance clave en el crecimiento epitaxial de multicapas de silicio y silicio-germanio (Si/SiGe), un paso esencial hacia dispositivos de memoria tridimensionales más densos, rápidos y eficientes. El trabajo, publicado en la revista Applied Physics en agosto de 2025 por un equipo liderado por R. Loo y colaboradores de Imec, describe la fabricación controlada de hasta 120 bilayers de Si/Si0.8Ge0.2 —es decir, 241 subcapas— depositadas sobre obleas de 300 milímetros. Un logro que supone acercarse a la realidad de la DRAM apilada en 3D, una arquitectura llamada a reemplazar los