
China desarrolla el primer transistor GAA 2D sin silicio y desafía el liderazgo tecnológico
China sigue avanzando en la industria de semiconductores a pesar de las restricciones impuestas por Estados Unidos. Un equipo de investigadores de la Universidad de Pekín, liderado por el profesor Peng Hailin, ha presentado el primer transistor GAA 2D sin silicio, un avance revolucionario que podría cambiar el futuro de la fabricación de chips. Publicado en la revista Nature, el hallazgo introduce un material basado en bismuto que promete superar las capacidades de los transistores actuales. Un hito en la evolución de los transistores Los transistores GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) representan la evolución de los tradicionales MOSFET y FinFET, al permitir un control total del canal de conducción. Sin embargo, hasta ahora, su desarrollo seguía ligado al uso del silicio.