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title: "STMicroelectronics Revoluciona la Conectividad Óptica para Centros de Datos y Clústeres de IA"
description: "Las nuevas tecnologías de silicio fotónico y BiCMOS permitirán interconexiones ópticas de 800Gb/s y 1.6Tb/s, optimizando el rendimiento y la eficiencia energética . STMicroelectronics (NYSE: STM) , lí..."
url: https://revistacloud.com/stmicroelectronics-revoluciona-la-conectividad-optica-para-centros-de-datos-y-clusteres-de-ia/
date: 2025-02-21
modified: 2025-02-20
author: "Antonio"
image: https://revistacloud.com/wp-content/uploads/2024/05/redes-cables-network-fibra-optica.jpg
categories: ["Empresas", "Noticias"]
tags: ["Centros de datos", "STMicroelectronics"]
type: post
lang: es
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# STMicroelectronics Revoluciona la Conectividad Óptica para Centros de Datos y Clústeres de IA

### **Las nuevas tecnologías de silicio fotónico y BiCMOS permitirán interconexiones ópticas de 800Gb/s y 1.6Tb/s, optimizando el rendimiento y la eficiencia energética**.

**STMicroelectronics (NYSE: STM)**, líder global en semiconductores, ha anunciado su nueva generación de tecnologías propietarias para mejorar la interconexión óptica en **centros de datos** y **clústeres de Inteligencia Artificial (IA)**. Con el crecimiento exponencial de la computación basada en IA, los desafíos en **rendimiento y eficiencia energética** se han intensificado en múltiples áreas, desde la capacidad de cómputo y memoria hasta la alimentación y las conexiones entre ellas.

Para afrontar estos retos, **ST está desarrollando una hoja de ruta** con socios clave de la industria, enfocada en el diseño de ópticas enchufables con **mayor eficiencia energética** y en la próxima generación de **interconexión de GPU en clústeres de IA**. La implementación de estas innovaciones comenzará en la **segunda mitad de 2025**, con **módulos ópticos de 800Gb/s y 1.6Tb/s**.

## **Silicio Fotónico y BiCMOS: Una revolución en la conectividad óptica**

Los **[centros de datos de hiperescala](https://revistacloud.com/capacidad-centros-datos-hiperescala-se-triplicara-2030-impulsada-ia-generativa/)** dependen de **cientos de miles de transceptores ópticos**, dispositivos que convierten señales ópticas en eléctricas y viceversa para facilitar la comunicación entre **GPUs, switches y almacenamiento**. En este contexto, las nuevas tecnologías de **silicio fotónico (SiPho)** y **BiCMOS** de ST permitirán:

- **Integración de múltiples componentes complejos** en un solo chip, reduciendo costes y aumentando la eficiencia.
- **Conectividad óptica de ultra alta velocidad y bajo consumo**, crucial para sostener el crecimiento de la IA.
- **Producción en procesos de 300 mm en Europa**, asegurando una cadena de suministro independiente y de gran volumen para los desarrolladores de módulos ópticos.

*«La demanda de IA está acelerando la adopción de tecnologías de comunicación de alta velocidad en los centros de datos. Este es el momento adecuado para que ST introduzca su tecnología de silicio fotónico, complementada con una nueva generación de BiCMOS, para permitir a nuestros clientes diseñar la próxima ola de productos de interconexión óptica,»* destacó **Remi El-Ouazzane**, presidente del grupo de Microcontroladores, Circuitos Digitales y RF de STMicroelectronics.

## **Colaboración con Amazon Web Services y perspectivas del mercado**

Uno de los principales socios estratégicos en este desarrollo es **Amazon Web Services (AWS)**. Según **Nafea Bshara**, vicepresidente y distinguido ingeniero en AWS:

*«AWS se complace en colaborar con STMicroelectronics en el desarrollo de la nueva tecnología de silicio fotónico (SiPho) PIC100, que facilitará la interconexión entre cualquier carga de trabajo, incluida la Inteligencia Artificial. Estamos entusiasmados con las innovaciones que esto desbloqueará para el mercado óptico y de IA.»*

El mercado de **ópticas enchufables para centros de datos** está en plena expansión. Según **Dr. Vladimir Kozlov**, CEO de **LightCounting**, esta industria, valorada en **7.000 millones de dólares en 2024**, se espera que crezca a una tasa anual compuesta (**CAGR**) del **23% entre 2025 y 2030**, superando los **24.000 millones de dólares** al final del período. Además, los **transceptores basados en moduladores de silicio fotónico** aumentarán su cuota de mercado del **30% en 2024 al 60% en 2030**.

## **Fabricación en Europa y liderazgo en interconexión óptica**

STMicroelectronics ha confirmado que tanto su tecnología SiPho como la BiCMOS se **industrializarán y fabricarán en su planta de Crolles, Francia**, en procesos de 300 mm. Esta estrategia refuerza la **autonomía tecnológica de Europa**, asegurando un suministro local de componentes clave para la industria de centros de datos e IA.

El lanzamiento de estas tecnologías representa el **primer paso en la familia de productos PIC** de ST. Gracias a **alianzas estratégicas** con actores clave de la industria, la compañía aspira a convertirse en un **proveedor líder de soluciones de silicio fotónico y BiCMOS** para el mercado de **centros de datos e IA**, tanto en **ópticas enchufables** como en **I/O óptico** en el futuro.

Fuente: [ST](https://newsroom.st.com/media-center/press-item.html/t4672.html)
