--- title: "SK hynix exprime la DRAM 6F² con EUV mientras CXMT apuesta por la 4F²" description: "SK hynix prolongará la celda DRAM 6F² con litografía EUV y mantiene la 4F² en su hoja de ruta, mientras CXMT promete módulos 4F² antes de que acabe 2026." url: https://revistacloud.com/sk-hynix-dram-6f2-euv-cxmt-4f2/ date: 2026-10-29 modified: 2026-10-29 author: "Antonio" image: https://revistacloud.com/wp-content/uploads/2026/10/sk-hynix-dram-6f2-euv-cxmt-4f2.png categories: ["Noticias", "Tecnología"] tags: ["CXMT", "DRAM", "EUV", "memoria", "Samsung", "SK hynix"] type: post lang: es --- # SK hynix exprime la DRAM 6F² con EUV mientras CXMT apuesta por la 4F² **SK hynix seguirá exprimiendo la celda DRAM 6F², la arquitectura que usa hoy toda la industria, con más litografía EUV y mejoras de proceso, mientras el fabricante chino CXMT intenta adelantarse con la celda 4F², más pequeña.** Así lo recogen KoreaBizWire y DIGITIMES, que señalan que el fabricante surcoreano mantiene la 4F² y la DRAM 3D en su hoja de ruta, pero sin prisa por abandonar una tecnología que ya domina. **Las claves de la apuesta de SK hynix por la DRAM 6F² con EUV en 30 segundos** - SK hynix alargará la vida de la celda 6F² con litografía EUV y mejoras de proceso. - La celda 4F² y la DRAM 3D siguen en su hoja de ruta, aunque las fuentes no dan fecha para su llegada. - CXMT dice haber logrado avances clave en 4F² y promete módulos DDR5 para servidores antes de que acabe 2026. - Samsung apunta a 2028 para fabricar su DRAM 4F² en serie, y Micron ha descartado esta arquitectura. La celda es la unidad básica de una memoria DRAM: un transistor y un condensador que guardan un bit. Su tamaño se mide en múltiplos de F, la dimensión mínima del proceso. La celda 6F², estándar desde hace más de una década, ocupa seis unidades de superficie; la 4F² ocupa cuatro, lo que en teoría permite meter alrededor de un 30 % más de bits en el mismo espacio. El problema es que exige transistores verticales y un cambio profundo de fabricación. ## La apuesta conservadora de SK hynix Según [DIGITIMES](https://www.digitimes.com/news/a20261028VL220/sk-hynix-dram-cxmt-euv-technology.html), SK hynix planea prolongar la vida de su arquitectura 6F² apoyándose en la litografía de ultravioleta extremo (EUV) y en mejoras de proceso, y mantiene la 4F² y la DRAM 3D como siguientes pasos. [KoreaBizWire](http://koreabizwire.com/sk-hynix-sticks-with-proven-dram-technology-as-china-pushes-next-generation-designs/362041) lo presenta como una apuesta por una tecnología probada frente a los diseños de nueva generación que impulsa China. Las fuentes accesibles no detallan el número de capas EUV ni el calendario de cada nodo. La decisión tiene una lógica industrial: SK hynix es hoy uno de los mayores fabricantes de DRAM y de memoria HBM para aceleradores de IA, y cambiar de arquitectura de celda supone riesgos de rendimiento de fabricación en un momento de fuerte demanda. La EUV le permite seguir reduciendo dimensiones sin rediseñar la celda, algo que no está al alcance de los fabricantes chinos, que no pueden comprar equipos EUV de ASML por las restricciones de exportación. ## CXMT busca el atajo de la 4F² El contraste lo marca CXMT (ChangXin Memory Technologies). Su máximo directivo, Cao Kanyu, aseguró el 10 de octubre en una conferencia del sector en Shanghái que la empresa ha logrado avances clave en una celda 4F² con un transistor propio de puerta envolvente vertical, que reduce las fugas de corriente. Según [Seoul Economic Daily](https://en.sedaily.com/international/2026/10/13/chinese-memory-makers-tech-claim-sinks-samsung-sk-hynix), CXMT prevé lanzar módulos DDR5 RDIMM para servidores con esta tecnología antes de que termine 2026, aunque no ha publicado especificaciones, proceso ni rendimientos. El enfoque parece apoyarse en equipos de litografía DUV, la alternativa a la EUV que sí puede usar. El anuncio llegó en un momento de fuerza para CXMT, que prevé [ganar casi 20.000 millones de dólares en nueve meses](https://revistacloud.com/cxmt-preve-ganar-casi-20000-millones-dolares-nueve-meses-dram/) gracias a la escasez de memoria. Las acciones de Samsung y SK hynix cayeron con fuerza en la sesión siguiente, aunque las cifras varían según la fuente y el momento de la jornada. Un analista de Morningstar advirtió de que entre presentar un producto 4F² y fabricarlo con rendimientos rentables puede haber una distancia considerable. El resto de la industria está dividido. Samsung trabaja en 4F² para DRAM por debajo de los 10 nm y apunta a fabricarla en serie en 2028. Micron, en cambio, [ha descartado llevar la 4F² a producción](https://revistacloud.com/micron-descarta-dram-4f2-ymtc-cxmt-9600-mts/) y llegó a calificar de mito su ventaja de densidad. Y YMTC, el fabricante chino de NAND, prepara su [primera DRAM con celda 4F²](https://revistacloud.com/ymtc-dram-lpddr5x-9600-celda-4f2-vct/). La estrategia de SK hynix la sitúa en un punto intermedio: no renuncia a la 4F², pero tampoco tiene prisa por adoptarla. ## Preguntas frecuentes ### ¿Qué diferencia hay entre una celda DRAM 6F² y 4F²? La 6F² ocupa seis unidades de superficie por bit y es el estándar actual; la 4F² ocupa cuatro, lo que permite cerca de un 30 % más de densidad, pero exige transistores verticales. ### ¿Qué va a hacer SK hynix? Según DIGITIMES, prolongar la celda 6F² con litografía EUV y mejoras de proceso, manteniendo la 4F² y la DRAM 3D en su hoja de ruta. ### ¿Cuándo lanzará CXMT su DRAM 4F²? CXMT prevé lanzar módulos DDR5 para servidores con esta tecnología antes de que acabe 2026, sin especificaciones publicadas. ### ¿Qué hacen Samsung y Micron? Samsung apunta a fabricar DRAM 4F² en serie en 2028; Micron ha descartado llevar esta arquitectura a producción. **Fuentes:** - [KoreaBizWire: SK hynix sticks with proven DRAM technology as China pushes next-generation designs](http://koreabizwire.com/sk-hynix-sticks-with-proven-dram-technology-as-china-pushes-next-generation-designs/362041) - [DIGITIMES: SK Hynix bets on EUV to extend 6F² DRAM as CXMT pushes 4F²](https://www.digitimes.com/news/a20261028VL220/sk-hynix-dram-cxmt-euv-technology.html) - [Seoul Economic Daily: Chinese memory maker’s tech claim sinks Samsung, SK hynix shares](https://en.sedaily.com/international/2026/10/13/chinese-memory-makers-tech-claim-sinks-samsung-sk-hynix)