--- title: "Samsung cambia su hoja de ruta DRAM y adelanta el uso del hybrid bonding" description: "Samsung Electronics ha modificado la estrategia de desarrollo de su próxima generación de memoria DRAM y ha incorporado B1b a su hoja de ruta oficial bajo la denominación D0a. El movimiento sitúa el w..." url: https://revistacloud.com/samsung-cambia-su-hoja-de-ruta-dram-y-adelanta-el-uso-del-hybrid-bonding/ date: 2026-09-24 modified: 2026-09-23 author: "Silvia A. Feliz" image: https://revistacloud.com/wp-content/uploads/2024/10/Samsung-Semiconductors-GDDR7-DRAM-Industrys-First-24Gb-GDDR7.jpg categories: ["Empresas", "Noticias"] tags: ["DRAM", "Samsung"] type: post lang: es --- # Samsung cambia su hoja de ruta DRAM y adelanta el uso del hybrid bonding Samsung Electronics ha modificado la estrategia de desarrollo de su próxima generación de memoria DRAM y ha incorporado B1b a su hoja de ruta oficial bajo la denominación D0a. El movimiento sitúa el wafer-to-wafer (W2W) hybrid bonding como una de las tecnologías con las que la compañía pretende superar la actual generación de memorias de 10 nanómetros (nm), mientras el desarrollo de la DRAM con transistores verticales, conocida como VCT, continúa por separado. **Las claves de la nueva DRAM D0a de Samsung en 20 segundos** - Samsung habría trasladado B1b desde un proyecto de I+D a su hoja de ruta oficial como D0a. - B1b separa las celdas DRAM y los circuitos periféricos en dos obleas y después las une. - El proceso utiliza W2W hybrid bonding para aumentar la densidad de integración. - La anterior D0a basada en VCT pasa a denominarse D0a-V y seguirá desarrollándose. - Samsung estudia llevar B1b a HBM5, cuya producción se espera alrededor de 2029. La revisión afecta a la forma en que Samsung plantea su primer proceso DRAM por debajo de la clase de 10 nm. Según la información publicada por ZDNet Korea, B1b estaba en desarrollo pero no formaba parte de la hoja de ruta oficial de la compañía. Ahora se integra en D0a, mientras que la tecnología VCT que anteriormente recibía esa denominación pasa a identificarse como D0a-V. El cambio tiene una lectura tecnológica concreta. Samsung busca aumentar la densidad de las celdas de memoria sin depender únicamente de reducir las dimensiones de los elementos fabricados sobre una misma oblea. B1b separa la fabricación de las celdas DRAM y de los circuitos periféricos, conocidos como peri, en dos obleas diferentes. Posteriormente ambas se unen para colocar la capa de celdas sobre la correspondiente a los circuitos periféricos. Ese planteamiento permite aplicar procesos diferentes a cada parte y, según la información de ZDNet Korea, facilita una mayor densidad de las celdas. La unión se realiza mediante W2W hybrid bonding, una técnica que conecta directamente interconexiones de cobre entre las dos estructuras, en lugar de recurrir a pequeños bumps como ocurre en métodos de empaquetado convencionales. ## B1b adelanta a VCT en la estrategia de Samsung La decisión también refleja las dificultades que plantea la siguiente generación de arquitectura DRAM. Hasta ahora, Samsung había identificado VCT como la vía para desarrollar D0a. En esta arquitectura, el transistor situado dentro de la celda de memoria se coloca verticalmente en lugar de mantener una disposición horizontal. La modificación puede reducir la superficie necesaria para cada celda. La información publicada por ZDNet Korea señala que una celda convencional puede representarse con una superficie de 6F², mientras que VCT permitiría reducirla a 4F². La referencia F corresponde a la dimensión característica utilizada para describir la estructura. Pero VCT exige resolver varios problemas de fabricación. La formación de transistores verticales requiere procesos de grabado con una relación de aspecto elevada y la reducción de la superficie de la celda aumenta las exigencias relacionadas con las corrientes de fuga. El desarrollo también requiere nuevos materiales para afrontar esos problemas. B1b parte de una tecnología que ya tiene aplicaciones en otros segmentos de los semiconductores. El W2W hybrid bonding se está utilizando en procesos como los sensores de imagen CMOS y las memorias NAND de alta densidad. Esa experiencia industrial explicaría por qué Samsung ha decidido adelantar B1b respecto a VCT para la implementación de D0a. La generación actual más reciente citada en la información es 1c, la sexta generación de DRAM de clase 10 nm, con una referencia de 11 a 12 nm. El siguiente paso será 1d, séptima generación de esta clase, con referencias de 10 a 11 nm. Estas denominaciones de nanómetros son categorías utilizadas por los fabricantes y no equivalen necesariamente a una única dimensión física de los circuitos. D0a representa el siguiente salto dentro de esta evolución. La estrategia revisada plantea que el camino hacia esa generación pase primero por una nueva forma de integración entre celdas y circuitos periféricos. ## El vínculo con HBM5 y las futuras arquitecturas 3D La decisión también puede tener consecuencias para las memorias destinadas a inteligencia artificial. Samsung está estudiando aplicar B1b a HBM5, la quinta generación de su familia de memoria de alto ancho de banda y octava generación según la clasificación indicada en la información de ZDNet Korea. HBM5 se espera alrededor de 2029, aunque se trata de una previsión de la industria y no de una fecha de producción confirmada en el texto. Samsung desarrolla esta generación con el objetivo de aumentar aproximadamente un 50 % o más la velocidad de funcionamiento respecto a HBM4E. Para que B1b llegue a producción en forma de D0a todavía queda recorrido. La estimación recogida por ZDNet Korea sitúa la comercialización de la DRAM basada en B1b al menos dos años por delante, mientras que el calendario concreto de inversiones para producción se espera que se defina hacia mediados de 2027. VCT, por su parte, no desaparece del desarrollo de Samsung. La compañía continúa trabajando en esta arquitectura y la previsión recogida por el medio surcoreano apunta a que B1b podría terminar funcionando junto a VCT y, posteriormente, con DRAM 3D. La DRAM 3D plantea un paso adicional: apilar verticalmente las propias celdas de memoria. En ese escenario, el hybrid bonding podría actuar como una tecnología de integración común a diferentes arquitecturas, en lugar de quedar limitado a una única generación de DRAM. Choi Jeongdong, vicepresidente sénior de TechInsights, considera que B1b podría aplicarse junto a VCT o 3D DRAM porque la fabricación separada de celdas y circuitos periféricos ofrece ventajas para las futuras arquitecturas. Su valoración apunta a que el hybrid bonding podría mantenerse como una plataforma de integración a medida que cambie el diseño interno de las memorias. La revisión de D0a muestra así un cambio de prioridad tecnológica dentro de Samsung. La compañía mantiene el desarrollo de arquitecturas más profundas como VCT, pero sitúa antes una técnica de integración que ya cuenta con experiencia en otros procesos de fabricación. El objetivo inmediato es aumentar la densidad de la DRAM mediante la separación y posterior unión de sus principales elementos, mientras las arquitecturas verticales quedan como una vía de desarrollo paralela. ## Preguntas frecuentes ### ¿Qué es la tecnología B1b de Samsung? B1b separa las celdas de memoria DRAM y los circuitos periféricos en dos obleas diferentes y después las une mediante W2W hybrid bonding. El objetivo es aumentar la densidad de integración y permitir procesos optimizados para cada parte. ### ¿Qué significa ahora D0a para Samsung? Samsung habría cambiado la definición de D0a para identificar la tecnología B1b como su próxima generación DRAM por debajo de la clase de 10 nm. La arquitectura VCT que anteriormente recibía el nombre D0a pasa a denominarse D0a-V. ### ¿Qué diferencia hay entre B1b y VCT? B1b modifica principalmente la forma de integrar las celdas y los circuitos periféricos mediante dos obleas unidas. VCT cambia la estructura del transistor dentro de la celda para colocarlo verticalmente y reducir su superficie. ### ¿Llegará B1b a HBM5? Samsung está estudiando aplicar B1b a HBM5. Según la información publicada por ZDNet Korea, esta memoria se espera alrededor de 2029, aunque se trata de una previsión y no de una fecha de producción confirmada. vía: [zdnet](https://zdnet.co.kr/view/?no=20260923090551)