--- title: "SAIMEMORY suma a Shinko para fabricar ZAM, la memoria de SoftBank rival de HBM" description: "SAIMEMORY, filial de SoftBank, firma con el fabricante japonés de sustratos Shinko Electric un memorando para desarrollar el empaquetado y la fabricación de ZAM, su memoria 3D para IA." url: https://revistacloud.com/saimemory-shinko-memoria-zam-softbank-hbm/ date: 2026-09-29 modified: 2026-09-29 author: "Antonio" image: https://revistacloud.com/wp-content/uploads/2026/09/memoria-zam-saimemory-shinko-encapsulado.png categories: ["Inteligencia artificial", "Noticias", "Tecnología"] tags: ["HBM", "intel", "japón", "memoria", "saimmemory", "SoftBank", "ZAM"] type: post lang: es --- # SAIMEMORY suma a Shinko para fabricar ZAM, la memoria de SoftBank rival de HBM **SAIMEMORY, la filial de SoftBank que desarrolla la memoria ZAM, ha firmado un memorando de entendimiento con el fabricante japonés de encapsulados y sustratos Shinko Electric Industries para trabajar juntos desde la investigación hasta la comercialización de esta tecnología.** Las dos compañías lo anunciaron el 28/09/2026. Shinko aportará su experiencia en sustratos de encapsulado y empaquetado de alta densidad, precisamente una de las piezas más difíciles de resolver para que ZAM pase del laboratorio a la producción. **Las claves del acuerdo entre SAIMEMORY y Shinko en 30 segundos** - SAIMEMORY y Shinko colaborarán en la investigación, la tecnología de fabricación y la futura comercialización de ZAM. - ZAM es una memoria 3D de alto ancho de banda y bajo consumo pensada para los centros de datos de IA. - Shinko se encargará de desarrollar el encapsulado y los procesos de fabricación necesarios. - Es un memorando: no incluye importes ni un calendario nuevo. El acuerdo refuerza el perfil japonés del proyecto. ZAM (Z-Angle Memory) nace en SAIMEMORY, una empresa creada por SoftBank en diciembre de 2024, y su desarrollo se financia en parte con un programa de la NEDO, la agencia japonesa de desarrollo de nuevas energías y tecnologías industriales, dedicado a la infraestructura de comunicaciones posterior al 5G. Ambos presidentes insisten en esa idea: presentan ZAM como una memoria «originaria de Japón» y hablan de aprovechar la experiencia acumulada durante años en la industria del país. ## Qué aporta Shinko al proyecto Shinko Electric es un fabricante integral de encapsulados para semiconductores, con una larga trayectoria en el diseño y la fabricación de sustratos, las piezas sobre las que se monta un chip para conectarlo con el resto del sistema. Según el comunicado, la compañía usará esa experiencia y sus tecnologías de empaquetado de alta densidad para establecer los procesos de encapsulado y fabricación que ZAM necesita tanto en la fase de investigación como en la comercial. No es un papel menor. En las memorias de alto ancho de banda, buena parte del valor y de la dificultad está en cómo se apilan y se conectan los chips, no solo en las celdas de memoria. Las HBM actuales dependen de un empaquetado muy complejo, y ese mismo cuello de botella ha limitado la oferta de aceleradores de IA durante los últimos años. Si ZAM quiere ser una alternativa real, necesita socios capaces de producir sus encapsulados con fiabilidad y a un coste razonable. Hideya Yamaguchi, presidente y consejero delegado de SAIMEMORY, se mostró «muy animado por haber alcanzado este acuerdo con Shinko para construir una alianza que va desde la I+D hasta la futura comercialización». Añadió que, uniendo las tecnologías de ambas empresas, acelerarán la implantación práctica de ZAM y trabajarán para lograr una memoria competitiva en el mercado japonés y en el internacional. Susumu Kurashima, presidente y consejero delegado de Shinko, definió la memoria como «una de las tecnologías fundamentales críticas» para la transformación que traen la IA y la digitalización, y señaló que la compañía quiere contribuir a llevar a la práctica esta nueva generación de memoria. ## ZAM, una alternativa a HBM que aún está en desarrollo ZAM es una memoria DRAM apilada en 3D que busca ofrecer más densidad y ancho de banda con menos consumo que la HBM, la memoria que hoy acompaña a los aceleradores de IA de NVIDIA, AMD y otros fabricantes. Revista Cloud ya explicó cómo [Intel y SoftBank se aliaron en febrero para desarrollarla](https://revistacloud.com/intel-y-softbank-se-alian-para-crear-una-nueva-hbm-asi-es-la-apuesta-por-z-angle-memory-zam/), y en el VLSI Symposium de 2026 investigadores de SAIMEMORY, Intel, PSMC y AP Memory presentaron un prototipo con ocho capas de DRAM sobre una capa lógica. ![Resumen técnico del VLSI Symposium 2026 sobre la memoria 3D de SAIMEMORY con arquitectura TSV y ocho capas de DRAM](https://revistacloud.com/wp-content/uploads/2026/05/SAIMMEMORY-1024x633.jpg)*Resumen de la ponencia de SAIMEMORY, Intel, PSMC y AP Memory en el VLSI Symposium 2026.* Aquel trabajo describía una densidad de ancho de banda de unos 0,25 Tb/s por milímetro cuadrado, con capas de silicio de unas 3 micras de grosor y unas 13.700 vías TSV, las conexiones verticales entre capas, por cada chip. Son cifras de laboratorio, no las especificaciones de un producto comercial, y todavía faltan datos clave como la capacidad final, el consumo real o el coste de fabricación. El calendario sigue siendo de medio plazo. SoftBank habló en febrero de fabricar prototipos durante el año fiscal que termina el 31 de marzo de 2028 y de una posible comercialización en el año fiscal 2029. El memorando con Shinko no cambia esas fechas ni añade cifras de inversión, pero sí completa una pieza de la cadena industrial que ZAM necesitará si quiere llegar a los servidores. ## Japón busca recuperar peso en la memoria El mercado de HBM está concentrado en tres fabricantes, SK hynix, Samsung y Micron, ninguno japonés. Para un país que fue potencia mundial en DRAM en los años ochenta, ZAM es también una oportunidad de volver a este negocio con una tecnología propia, apoyada por dinero público y por un grupo como SoftBank, que está invirtiendo con fuerza en infraestructura de IA. La suma de socios va dibujando esa cadena: Intel en la tecnología de apilado y unión, fabricantes de obleas como PSMC y ahora Shinko en el encapsulado. Queda por ver quién fabricará en volumen y, sobre todo, qué fabricantes de aceleradores estarán dispuestos a integrar una memoria nueva en sus diseños. Hasta que eso ocurra, ZAM seguirá siendo una apuesta en desarrollo frente a una HBM que ya tiene estándar, proveedores y clientes. ## Preguntas frecuentes ### ¿Qué es la memoria ZAM? Z-Angle Memory es una memoria DRAM apilada en 3D que desarrolla SAIMEMORY, filial de SoftBank, para ofrecer alta densidad, alto ancho de banda y bajo consumo en centros de datos de IA. ### ¿Qué hará Shinko Electric en el proyecto? Aportará su experiencia en sustratos y empaquetado de alta densidad para desarrollar los procesos de encapsulado y fabricación de ZAM. ### ¿Cuándo llegará ZAM al mercado? SoftBank prevé prototipos en el año fiscal que acaba en marzo de 2028 y una posible comercialización en el año fiscal 2029. El acuerdo con Shinko no modifica ese calendario. ### ¿En qué se diferencia ZAM de HBM? Ambas apilan capas de DRAM, pero ZAM usa otra arquitectura de conexión vertical para buscar más ancho de banda por superficie con menos consumo. HBM ya es un estándar comercial; ZAM está en desarrollo. Fuentes: - [SAIMEMORY: SAIMEMORY and SHINKO sign MOU for next-generation memory technology](https://www.saimemory.co.jp/en/news/press/20260928_01/) - [SAIMEMORY: comunicado completo (PDF)](https://www.saimemory.co.jp/assets/news/pdf/SAIMEMORY_PR_20260928_01_ENG.pdf) - [NEDO: programa de infraestructuras post-5G](https://www.nedo.go.jp/english/activities/activities_ZZJP_100172.html)