--- title: "Intel supera el millón de obleas con High-NA EUV y prepara el siguiente salto" description: "Intel Foundry ha superado el millón de obleas de 300 mm procesadas con litografía High-NA EUV de ASML , un volumen que incluye instalación y certificación de equipos, investigación, desarrollo y fabri..." url: https://revistacloud.com/intel-supera-el-millon-de-obleas-con-high-na-euv-y-prepara-el-siguiente-salto/ date: 2026-09-08 modified: 2026-09-08 author: "Antonio" image: https://revistacloud.com/wp-content/uploads/2025/12/Intel-High-NA-EUV-3.jpg categories: ["Empresas", "Noticias"] tags: ["EUV", "intel", "Intel Foundry", "Obleas"] type: post lang: es --- # Intel supera el millón de obleas con High-NA EUV y prepara el siguiente salto **Intel Foundry ha superado el millón de obleas de 300 mm procesadas con litografía High-NA EUV de ASML**, un volumen que incluye instalación y certificación de equipos, investigación, desarrollo y fabricación comercial. La compañía ya emplea esta tecnología en determinadas capas de algunos procesadores Panther Lake fabricados con Intel 18A y trabaja junto a ASML en un cambio todavía mayor: sustituir las máscaras actuales por un formato de 6×12 pulgadas capaz de eliminar parte de las limitaciones que introduce High-NA. **Las claves del millón de obleas High-NA EUV de Intel en 20 segundos** - Intel Foundry ya ha procesado más de un millón de obleas mediante High-NA EUV. - La cifra incluye pruebas, I+D, certificación y producción comercial, no un millón de chips terminados. - Algunas capas de determinados Panther Lake con Intel 18A ya utilizan esta litografía. - Las máscaras actuales obligan a dividir exposiciones grandes mediante *stitching*. - Intel y ASML preparan máscaras de 6×12 pulgadas para recuperar el campo completo y mejorar productividad. El anuncio se ha realizado coincidiendo con la conferencia SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography, celebrada esta semana en Monterey, California, donde Intel Foundry y ASML están detallando el grado de madurez alcanzado por la nueva generación de litografía. El hito tiene una lectura importante: High-NA EUV está dejando de ser exclusivamente una tecnología experimental. Intel afirma que el *overlay*, la productividad y la disponibilidad de los equipos cumplen sus expectativas y que las capas fabricadas con High-NA sobre Intel 18A ofrecen resultados iguales o superiores a las equivalentes producidas con las máquinas EUV convencionales de apertura numérica 0,33. Pero alcanzar el millón de obleas no significa que Intel haya fabricado un millón de procesadores completos utilizando exclusivamente High-NA. La compañía utiliza estas máquinas solamente en **capas seleccionadas de una parte de sus Intel Core Ultra Series 3, conocidos como Panther Lake**. El resto del proceso combina otras técnicas litográficas. ## De 0,33 a 0,55 NA: por qué High-NA EUV importa tanto La litografía EUV (Extreme Ultraviolet) convencional utiliza actualmente una apertura numérica de **0,33 NA**. High-NA aumenta esa cifra hasta **0,55**. La apertura numérica determina, entre otros factores, la capacidad del sistema óptico para resolver estructuras extremadamente pequeñas. Aumentarla permite imprimir características más finas y reducir la necesidad de recurrir a múltiples exposiciones para determinadas capas. Esa es una de las razones por las que ASML considera High-NA una tecnología necesaria para las próximas generaciones de fabricación avanzada. Intel fue además el primer fabricante que recibió un sistema comercial de este tipo. ASML e Intel completaron en 2024 la instalación del primer TWINSCAN EXE:5000 comercial en las instalaciones de investigación de Intel en Hillsboro, Oregón. La progresión desde entonces ha sido rápida. A finales de febrero de 2025 Intel comunicó que había procesado aproximadamente **30.000 obleas** mediante High-NA EUV. Ahora supera el millón acumulado. Ese salto refleja tanto el aumento de utilización como la ampliación y madurez de la infraestructura. Intel dispone de sistemas EXE:5000 y ha avanzado también hacia la generación EXE:5200B, diseñada para incrementar la productividad respecto a los primeros equipos High-NA. En julio de 2026 ASML confirmó además que Intel había cualificado High-NA para determinadas capas de productos Intel 18A y que la tecnología estaba siendo utilizada en fabricación de alto volumen. Panther Lake se convirtió así en el primer producto lógico de gran volumen que incorpora High-NA EUV en parte de su proceso. La ventaja potencial va más allá de imprimir estructuras menores. Si High-NA permite sustituir varias exposiciones realizadas mediante EUV convencional por una sola, también puede reducir pasos de proceso, tiempo de fabricación y complejidad. Investigaciones sobre DRAM presentadas durante 2026, por ejemplo, están estudiando precisamente el paso de esquemas de *multipatterning* con EUV 0,33 NA hacia exposición única mediante High-NA. Pero la nueva óptica trae consigo un problema inesperado: **el área que puede exponerse de una sola vez es menor**. ## El problema del medio campo y por qué Intel necesita stitching Las máquinas EUV convencionales utilizan máscaras de aproximadamente seis pulgadas y ópticas con magnificación 4X en ambas direcciones. Esta configuración permite trabajar con un campo máximo aproximado de **26×33 mm sobre la oblea**. High-NA cambia la óptica. Los sistemas EXE utilizan magnificación anamórfica: aproximadamente 4X en una dirección y 8X en la otra. Esto resulta necesario para manejar los ángulos que aparecen al aumentar la apertura numérica, pero introduce una consecuencia importante. Con las máscaras actuales, el campo disponible queda reducido aproximadamente a **26×16,5 mm**. Para un chip pequeño puede no representar un problema. Pero los procesadores de gran tamaño, especialmente CPU, GPU y aceleradores para centros de datos, pueden superar ese medio campo. Intel y ASML utilizan entonces una técnica denominada **field stitching**. El diseño se divide en dos regiones que se exponen por separado y posteriormente deben quedar alineadas con enorme precisión sobre la oblea. Sobre el papel parece sencillo. En fabricación avanzada no lo es. Las estructuras situadas a ambos lados de la unión deben conectar correctamente. Un error extremadamente pequeño puede afectar a líneas metálicas, vías u otros elementos del circuito. El diseño del chip también tiene que considerar dónde se producirá esa unión. Intel está trabajando con compañías de automatización de diseño electrónico (EDA) para que sus kits de diseño de procesos permitan organizar los bloques del chip teniendo en cuenta esta limitación. La empresa considera que el *stitching* es una solución válida para utilizar High-NA inmediatamente. No obstante, existe una penalización adicional: productividad. ## Las máscaras de 6×12 pulgadas podrían cambiar High-NA EUV La solución a largo plazo que Intel está promoviendo es sorprendentemente física: **hacer la máscara el doble de larga**. La industria utiliza desde hace décadas fotomáscaras cuadradas de aproximadamente 6×6 pulgadas. Intel propone avanzar hacia **6×12 pulgadas**. Con una superficie útil mucho mayor, la óptica anamórfica de High-NA podría volver a cubrir un campo completo de aproximadamente 26×33 mm sin dividirlo en dos exposiciones. Esto permitiría fabricar chips grandes sin *stitching* y aprovechar mejor la productividad de las máquinas. Un trabajo presentado en SPIE sobre máscaras de gran formato señala precisamente dos ventajas: eliminar el problema del *field stitching* y aumentar el rendimiento de High-NA, con la posibilidad de reducir costes. Sin embargo, cambiar el tamaño de una máscara utilizada durante décadas por toda la industria no consiste simplemente en fabricar un rectángulo más grande. Prácticamente **todo el ecosistema de fotomáscaras tendría que adaptarse**. Habría que modificar o desarrollar nuevos *mask blanks*, sistemas de deposición, grabado, limpieza, inspección, metrología, escritores de máscaras, películas protectoras o *pellicles*, mecanismos de transporte y equipos de manipulación. Los propios escáneres necesitarán evolucionar para aceptar el nuevo formato. Intel lleva más de tres años trabajando con ASML, fabricantes de máscaras, proveedores de materiales, compañías EDA y empresas de automatización para preparar esa transición. La iniciativa tiene además un calendario largo. ASML prevé demostrar una línea piloto basada en máscaras mayores alrededor de **2031** y llevar la tecnología a fabricación de gran volumen hacia **2033**, según los planes comunicados este 08/09/2026. La compañía calcula que el cambio podría mejorar aproximadamente un **40 % la productividad del sistema** frente al uso de medio campo. ## Intel llega primero, pero TSMC y Samsung también preparan High-NA Intel dispone actualmente de una ventaja evidente en experiencia acumulada con estas máquinas. Fue el primer cliente comercial de High-NA, lleva años trabajando con ASML y ya utiliza la tecnología en determinadas capas de un producto fabricado en volumen. Eso no significa que sus competidores hayan descartado High-NA. TSMC, Samsung, SK hynix y otros fabricantes están evaluando la tecnología, aunque sus calendarios son diferentes. Reuters señala que TSMC contempla introducir High-NA hacia 2030, mientras Samsung y SK hynix apuntan a su utilización en DRAM alrededor de 2028. La estrategia de TSMC ha sido tradicionalmente más conservadora respecto a introducir nuevas herramientas antes de que proporcionen una ventaja económica suficiente. El coste tampoco es menor. Los primeros sistemas High-NA se sitúan alrededor de los **400 millones de dólares por unidad**, según estimaciones recogidas por Reuters. Eso obliga a justificar su incorporación mediante mejoras en rendimiento, reducción de pasos de proceso o capacidad para fabricar características que resulten demasiado complejas con EUV convencional. Intel está adoptando una estrategia diferente. Su apuesta consiste en aprender a utilizar High-NA antes que sus competidores, incluso cuando todavía existen limitaciones como el medio campo. El millón de obleas acumuladas importa precisamente por esa razón. No es solamente una cifra de producción. Significa que Intel ha podido acumular datos sobre resistencias, máscaras, defectos, *overlay*, productividad, mantenimiento y comportamiento real de los equipos a una escala que otros fabricantes todavía no han alcanzado en producción. ## Un millón de obleas no significa que High-NA haya ganado todavía La cifra también necesita contexto. Intel contabiliza dentro del millón las obleas utilizadas durante **instalación, certificación, investigación, desarrollo y producción comercial**. Por tanto, no debe interpretarse como un millón de obleas destinadas íntegramente a procesadores vendidos en el mercado. Tampoco significa que High-NA vaya a sustituir rápidamente a EUV convencional. Las fábricas utilizarán ambas generaciones durante años. Una máquina 0,33 NA puede seguir siendo económicamente preferible para capas donde su resolución resulta suficiente. High-NA tiene más sentido allí donde evita múltiples exposiciones o donde las dimensiones ya no pueden resolverse de forma eficiente con la generación anterior. La litografía avanzada se dirige así hacia una infraestructura cada vez más heterogénea. Una misma oblea puede atravesar litografía DUV, EUV convencional y High-NA EUV dependiendo de las necesidades de cada capa. Para Intel, haber superado el millón de obleas demuestra que la última de esas tecnologías ya ha salido del laboratorio. El siguiente reto es conseguir que resulte económicamente competitiva a gran escala. Y ahí las aparentemente sencillas máscaras de 6×12 pulgadas pueden terminar siendo casi tan importantes como las máquinas de cientos de millones de dólares que las utilizan. ## Preguntas frecuentes ### ¿Qué ha conseguido Intel con High-NA EUV? Intel Foundry afirma haber procesado más de un millón de obleas de 300 mm mediante sus sistemas High-NA EUV. La cifra incluye certificación, pruebas, I+D y fabricación en volumen de determinadas capas de algunos procesadores Panther Lake. ### ¿Qué diferencia existe entre EUV y High-NA EUV? La EUV convencional utiliza una apertura numérica de 0,33, mientras High-NA aumenta esa cifra hasta 0,55. Esto mejora la resolución y puede permitir imprimir determinadas estructuras con menos pasos de litografía. ### ¿Por qué High-NA necesita stitching para chips grandes? Su óptica anamórfica reduce a aproximadamente 26×16,5 mm el campo que puede exponerse con las máscaras actuales. Los diseños mayores necesitan dividirse en dos exposiciones y unir ambos campos con gran precisión. ### ¿Para qué sirven las futuras máscaras de 6×12 pulgadas? El formato permitiría recuperar aproximadamente un campo completo de 26×33 mm con High-NA y eliminar el *stitching* para muchos chips grandes. Su adopción exige modificar buena parte del ecosistema de fabricación y manejo de fotomáscaras.