--- title: "GlobalFoundries licencia tecnología GaN de TSMC para acelerar su apuesta de potencia “made in USA” en centros de datos, industria y automoción" description: "GlobalFoundries (GF) ha firmado un acuerdo de licencia tecnológica con TSMC para tecnologías de nitruro de galio (GaN) de 650 V y 80 V , con el objetivo de acelerar su nueva generación de dispositivos..." url: https://revistacloud.com/globalfoundries-licencia-tecnologia-gan-de-tsmc-para-acelerar-su-apuesta-de-potencia-made-in-usa-en-centros-de-datos-industria-y-automocion/ date: 2025-11-11 modified: 2025-11-11 author: "Nota de Prensa" image: https://revistacloud.com/wp-content/uploads/2025/01/GlobalFoundries-Cleanroom-NY-GF.jpg categories: ["Noticias"] tags: ["GlobalFoundries", "TSMC"] type: post lang: es --- # GlobalFoundries licencia tecnología GaN de TSMC para acelerar su apuesta de potencia “made in USA” en centros de datos, industria y automoción GlobalFoundries (GF) ha firmado un **acuerdo de licencia tecnológica** con **TSMC** para tecnologías de **nitruro de galio (GaN) de 650 V y 80 V**, con el objetivo de **acelerar su nueva generación de dispositivos de potencia** orientados a **centros de datos, entornos industriales y automoción**. La compañía fabricará estos productos en su **planta de Burlington (Vermont)**, lo que añade **capacidad GaN en territorio estadounidense** para una base de clientes global. ## Por qué importa: más eficiencia y densidad de potencia A medida que el **silicio CMOS** clásico toca techo en aplicaciones de potencia, el **GaN** se ha consolidado como la alternativa para **mejorar eficiencia, densidad y compacidad**. En convertidores, cargadores rápidos, control de motores eléctricos o fuentes de alimentación de servidores, el GaN **reduce pérdidas de conmutación** y permite **arquitecturas más compactas** con **mayor densidad de potencia**, un factor clave en **centros de datos** y **vehículos eléctricos**. Con esta licencia, GF busca **acortar tiempos de desarrollo** y **llevar a producción** dispositivos GaN “listos para misión crítica”. ## Qué incluye el acuerdo (y el calendario) - **Alcance tecnológico**: procesos GaN de **650 V** (alta tensión) y **80 V** (baja/mediana tensión), orientados a **vehículo eléctrico**, **renovables**, **cargadores rápidos** y **PSU de alto rendimiento** para TI. - **Localización**: calificación e industrialización en la **fábrica de Burlington, Vermont**, donde GF ya acumula experiencia en **GaN-on-Silicon** de alto voltaje. - **Hitos**: desarrollo **a inicios de 2026** y **producción a finales de 2026**, con un **rampa** pensada para clientes que requieran **volumen y calidad automoción/industrial**. “Con esta tecnología probada aceleraremos el desarrollo de nuestra próxima generación de chips GaN y aportaremos soluciones diferenciadas para aplicaciones críticas, desde el centro de datos al automóvil o la fábrica”, ha señalado **Téa Williams**, vicepresidenta sénior del negocio de potencia en GF. ## La pieza estratégica: GaN “made in USA” con licencia de TSMC El movimiento encaja en una tendencia del sector: **acuerdos de licencia** que combinan **IP de proceso consolidada** con **fabricación proximal al cliente**. Para GF, significará: - **Time-to-market** más corto: partir de una **base tecnológica madura** reduce iteraciones de proceso y acelera la **calificación**. - **Capacidad local**: **suministro en EE. UU.** para aplicaciones que valoran **cadena de suministro regional** y **cumplimiento** (centro de datos, aeroespacial, automoción). - **Cartera GaN ampliada**: productos de **650 V** para etapas primarias y **80 V** para etapas de baja tensión o aplicaciones de conversión *point-of-load*. Para TSMC, el acuerdo **monetiza su IP GaN** y **extiende su huella** a través de un tercero en un mercado donde la **demanda de potencia** crece al calor de la **IA**, los **vehículos eléctricos** y la **electrificación industrial**. ## Qué se espera en producto: de servidores a vehículos eléctricos Aunque el comunicado no desvela *die sizes* ni cifras de rendimiento, por tipología de tensión y mercados objetivo cabe esperar: - **650 V**: transistores GaN para **etapas PFC** y **conversores aislados** en **PSU de centros de datos**, **infraestructura de carga** y **inversores** (renovables/industria). - **80 V**: dispositivos para **DC-DC de alta eficiencia** en **placas servidor**, **conducción de motores** y **electrónica de potencia** embarcada (vehículos, robótica). - **Ruggedización**: GF subraya un enfoque “holístico” de **fiabilidad** (proceso, dispositivo y aplicación), imprescindible para **automoción** y **entornos industriales**. ## Qué significa para centros de datos y la ola de IA La **explosión de la IA** ha revalorizado cada **vatio** en la cadena de suministro TI: desde la **entrada AC** del CPD hasta el **VRM** que alimenta GPU/CPU. La adopción de **GaN** en **etapas primarias** y **DC-DC** se traduce en **menos pérdidas**, **menos calor** y **fuentes más densas**, habilitando **racks más potentes** en el **mismo volumen**. Para operadores, eso implica **mejor PUE** y más margen para **densidades térmicas** crecientes. ## Implicaciones para automoción y renovables - **Automoción**: en **vehículos eléctricos**, el GaN aparece en **cargadores on-board**, **conversión auxiliar** y, paulatinamente, en **inversión** de etapas intermedias, con el objetivo de **aligerar peso** y **mejorar autonomía** gracias a mayor eficiencia. - **Renovables/industria**: convertidores e **inversores** más compactos y con **mayor densidad** simplifican **cuadros eléctricos**, **reduciendo huella** y **costes de integración**. ## Riesgos y próximos pasos Como toda **transferencia de proceso**, la **calificación** en una nueva línea conlleva retos: **rendimientos (yield)**, **variabilidad** y **confiabilidad** a largo plazo (pruebas **HTRB**, **HTOL**, **TC**, etc.). GF dispone de **historial GaN** en Burlington, un factor que puede **acortar la rampa**. Si el calendario se cumple, los **primeros productos comerciales** deberían estar **disponibles a finales de 2026**. --- ## Claves rápidas - **Qué ha pasado**: GlobalFoundries **licencia GaN de 650 V y 80 V** de **TSMC**. - **Dónde se fabricará**: **Burlington (Vermont)**, con **capacidad GaN en EE. UU.** para clientes globales. - **Cuándo**: desarrollo **inicios de 2026**, **producción a finales de 2026**. - **Para quién**: **centros de datos**, **industrial**, **automoción**, **renovables** y **carga rápida**. - **Por qué GaN**: **más eficiencia** y **densidad de potencia** allí donde el silicio CMOS ya no llega. --- ## Preguntas frecuentes **¿Qué ventajas aporta GaN frente al silicio en fuentes de alimentación de centros de datos?** Principalmente **menores pérdidas de conmutación**, lo que permite **frecuencias más altas**, **componentes magnéticos más pequeños**, **mayor densidad de potencia** y, en consecuencia, **mejor eficiencia** y **menor calor** por rack. **¿Qué significa “GaN-on-Silicon”?** Es una **heteroestructura** donde el **GaN** se deposita sobre **oblea de silicio**. El silicio abarata y facilita **diámetros mayores** frente al **GaN-on-SiC**, aunque cada enfoque tiene su **nicho** según **tensión** y **pérdidas** objetivo. **¿Por qué fabricar en EE. UU. si la IP es de TSMC?** Para aportar **proximidad** al cliente (plazos, logística, cumplimiento) y **diversificación geográfica** de la **capacidad de potencia**, manteniendo al mismo tiempo una **base tecnológica madura** a través de la **licencia**. **¿Cuándo podrían verse los primeros módulos comerciales?** Si la **calificación** de proceso y la **rampa de producción** siguen el plan, GF prevé **productos disponibles a finales de 2026** para **datacenter, industria y automoción**. --- **Fuentes:** — GlobalFoundries, comunicado oficial: “GlobalFoundries Licenses GaN Technology from TSMC to Accelerate U.S.-Manufactured Power Portfolio for Datacenter, Industrial and Automotive Customers”, 10/11/2025. Nota de prensa: [Globenewswire](https://www.globenewswire.com/news-release/2025/11/10/3184566/0/en/GlobalFoundries-Licenses-GaN-Technology-from-TSMC-to-Accelerate-U-S-Manufactured-Power-Portfolio-for-Datacenter-Industrial-and-Automotive-Customers.html)