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title: "EV Group presenta tecnología innovadora de adhesión y despegado temporal de obleas en SEMICON Korea 2025"
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date: 2025-02-20
modified: 2025-02-19
author: "Noticias Cloud"
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categories: ["Noticias"]
tags: ["EV Group", "Obleas", "SEMICON"]
type: post
lang: es
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# EV Group presenta tecnología innovadora de adhesión y despegado temporal de obleas en SEMICON Korea 2025

EV Group (EVG), líder en soluciones innovadoras de procesos para diseños semiconductores de vanguardia, está destacando su tecnología **IR LayerRelease** de adhesión y despegado temporal (TB/DB) en la exposición **SEMICON Korea 2025**, que se celebra del 19 al 21 de febrero en Seúl, Corea del Sur.

### Innovación en la integración de chips y memoria avanzada

EVG, reconocido por su liderazgo en tecnología de unión de obleas, presenta su solución **IR LayerRelease**, una tecnología de despegado láser por infrarrojos diseñada para mejorar la producción de **memoria de alto ancho de banda (HBM) y DRAM apilada en 3D**. Estas tecnologías son clave para aplicaciones de **inteligencia artificial (IA) y computación de alto rendimiento (HPC)**.

Según **Dr. Thorsten Matthias**, director regional de ventas para Asia/Pacífico de EVG: «Acelerar el desarrollo y la producción en volumen de HBM y DRAM apilada en 3D es una prioridad para la industria coreana de semiconductores. Nuestra tecnología IR LayerRelease está revolucionando el mercado al permitir el apilamiento de chips más delgados mediante el despegado láser, eliminando la necesidad de despegado mecánico».

### Adhesión y despegado temporal para memoria avanzada

Las tecnologías **HBM y DRAM 3D** han surgido como soluciones clave para el entrenamiento de IA gracias a su capacidad de ofrecer **alto ancho de banda, baja latencia y eficiencia energética** en un formato compacto. La adhesión y despegado temporal de obleas es un proceso esencial en la fabricación de estas memorias avanzadas.

Las soluciones de despegado mecánico tradicionales no pueden proporcionar la precisión necesaria para obleas ultra delgadas con geometrías complejas. En este contexto, **IR LayerRelease** de EVG ofrece ventajas significativas:

- **Mayor precisión y rendimiento**
- **Menor costo de operación**
- **Menor impacto ambiental**
- **Compatibilidad con futuras generaciones de memoria**

### Detalles técnicos de IR LayerRelease

La tecnología **IR LayerRelease** utiliza un láser infrarrojo (IR) que atraviesa el silicio, lo que permite liberar con precisión nanométrica capas ultra delgadas sin dañar la oblea portadora. A diferencia de los procesos tradicionales, **IR LayerRelease no requiere sustratos de vidrio**, permitiendo nuevos flujos de proceso para **3D-IC y 3D sequential integration**. Además, esta tecnología usa solventes inorgánicos para la limpieza posterior, minimizando la huella ecológica en la fabricación de semiconductores.

IR LayerRelease se integra en la plataforma **EVG®880**, una solución automatizada de alto volumen de producción.

### EVG en SEMICON Korea

Los asistentes a **SEMICON Korea 2025** interesados en conocer más sobre las soluciones de EVG para **IA, HPC, empaquetado avanzado y fabricación sostenible de semiconductores**, pueden visitar el stand **C740 (3er piso, Hall C)** del **19 al 21 de febrero** en el **COEX de Seúl, Corea del Sur**.

Fuente: [Semiconductor digest](https://www.semiconductor-digest.com/ev-group-highlights-revolutionary-temporary-wafer-bonding-and-debonding-solution-for-hbm-and-3d-dram-at-semicon-korea/)