--- title: "CXMT prepara 5.200 millones de dólares para ampliar su producción de memoria" description: "ChangXin Memory Technologies (CXMT) prepara una inversión de 34.900 millones de yuanes, unos 5.200 millones de dólares, para ampliar sus capacidades de investigación, fabricación y pruebas de chips de..." url: https://revistacloud.com/cxmt-prepara-5-200-millones-de-dolares-para-ampliar-su-produccion-de-memoria/ date: 2026-10-01 modified: 2026-09-30 author: "Silvia A. Feliz" image: https://revistacloud.com/wp-content/uploads/2026/02/cxmt-lpddr5-memory.jpg categories: ["Empresas", "Noticias"] tags: ["china", "CXMT"] type: post lang: es --- # CXMT prepara 5.200 millones de dólares para ampliar su producción de memoria ChangXin Memory Technologies (CXMT) prepara una inversión de 34.900 millones de yuanes, unos 5.200 millones de dólares, para ampliar sus capacidades de investigación, fabricación y pruebas de chips de memoria. El movimiento llega pocos días después de que el fabricante chino anunciara la producción en masa de su quinta generación de DRAM, una plataforma G5 que incorpora un diseño de 11,95 nanómetros de *half-pitch* y nuevos chips LPDDR5X de 24 Gb. **Las claves de la expansión de CXMT en 20 segundos** - CXMT destinará 24.100 millones de yuanes a un nuevo proyecto de investigación y desarrollo y 10.800 millones a la segunda fase de una base de pruebas de obleas. - Cerca de 22.400 millones de yuanes del proyecto de I+D se dedicarán a comprar equipos, según la documentación citada por South China Morning Post. - La compañía acaba de poner en producción en masa su plataforma G5 de DRAM, con un *active-area half-pitch* de 11,95 nm. - Dos nuevos chips LPDDR5X de 24 Gb basados en G5 ya están en producción masiva y ofrecen un 50 % más de capacidad por dado frente a la generación equivalente anterior. - CXMT también afirma que G5 permite obtener al menos un 50 % más de dados brutos por oblea que su plataforma anterior. La nueva inversión llega en un momento especialmente relevante para CXMT. La compañía china está intentando aumentar su capacidad de fabricación de DRAM al mismo tiempo que reduce su dependencia de proveedores extranjeros de equipos para semiconductores. Según una fuente citada por *South China Morning Post*, una parte importante de las nuevas compras de maquinaria estaría destinada a fabricantes chinos. La información sobre esa preferencia por proveedores nacionales procede de la fuente del periódico; la documentación financiera confirma el presupuesto y el elevado peso de los equipos, pero no permite por sí sola atribuir cada compra a un proveedor concreto. ## 34.900 millones de yuanes para I+D y pruebas El plan contempla dos grandes partidas. CXMT prevé invertir 24.100 millones de yuanes en un nuevo proyecto tecnológico de investigación y desarrollo, mientras que otros 10.800 millones se destinarán a la segunda fase de una instalación dedicada a pruebas de obleas de memoria. El reparto muestra hasta qué punto fabricar DRAM avanzada depende de maquinaria especializada. Según la información publicada por *South China Morning Post*, unos 22.400 millones de yuanes, aproximadamente el 93 % del presupuesto del proyecto de I+D, corresponden a adquisición de equipos. CXMT también utilizará parte de los fondos obtenidos en su reciente salida a bolsa. La compañía debutó en el mercado STAR de Shanghái en julio de 2026 y la operación captó al menos 57.900 millones de yuanes, unos 8.600 millones de dólares, según Reuters. La ampliación de capital se produjo en un momento de fuerte demanda de memoria asociada a la inteligencia artificial. La documentación financiera disponible sitúa además en 18.000 millones de yuanes la cantidad de fondos excedentes de la oferta pública que se utilizaría para estos nuevos proyectos, con 13.000 millones destinados al proyecto de I+D y 5.000 millones a la segunda fase de las instalaciones de pruebas. El plan, por tanto, no es únicamente una ampliación de capacidad fabril. CXMT está destinando una parte considerable del capital a desarrollar nuevas tecnologías y a ampliar la infraestructura necesaria para probar y validar los chips que produzca. ## G5 ya está en producción masiva El anuncio financiero coincide con otro hito tecnológico. El 20 de septiembre, CXMT anunció en la World Manufacturing Convention de Hefei que su quinta generación de tecnología DRAM, denominada **G5 Platform**, había entrado en producción masiva. La compañía presentó también dos nuevos productos LPDDR5X fabricados con esta plataforma. Uno de los datos técnicos más relevantes es el *active-area half-pitch* de 11,95 nanómetros. CXMT afirma haber alcanzado esta cifra mediante **self-aligned quadruple patterning (SAQP)**, una técnica de patrón múltiple utilizada para fabricar estructuras más pequeñas en las matrices de memoria. La compañía también comunica una relación de aspecto de 45:1 para los condensadores de la matriz y una altura de 6.762 nanómetros para el área central de las celdas, utilizando un proceso de **high-k metal gate (HKMG)** optimizado para DRAM. Estas cifras requieren una lectura cuidadosa. El valor de 11,95 nm describe el *half-pitch* del área activa de la matriz de memoria, no significa que toda la tecnología G5 pueda definirse simplemente como un nodo de fabricación de 11,95 nm. Tampoco permite por sí solo establecer una equivalencia completa con los procesos de Samsung, SK hynix o Micron, ya que faltan datos públicos comparables sobre rendimiento, consumo, rendimiento de fabricación (*yield*) y costes. CXMT asegura, además, que G5 consigue al menos un 50 % más de dados brutos por oblea que su plataforma anterior, tomando como referencia una densidad equivalente de 8 Gb. Se trata de **gross dies per wafer**, no del número final de chips funcionales después de descartar unidades defectuosas. Por eso la cifra no debe interpretarse automáticamente como un aumento equivalente del 50 % en chips comercializables. ## LPDDR5X de 24 Gb y una cadena de suministro más local La plataforma G5 también llega acompañada de dos productos LPDDR5X de 24 Gb por dado. CXMT afirma que ambos se encuentran ya en producción masiva y que utilizan encapsulados de 496 y 245 bolas, respectivamente, destinados a smartphones y otros dispositivos electrónicos portátiles. La capacidad de 24 Gb representa un 50 % más que los productos equivalentes de 16 Gb de la generación anterior de CXMT. En términos de capacidad, 24 Gb equivalen a 3 GB por dado, aunque la cifra comercial se expresa en gigabits porque se trata de memoria semiconductora. La producción de G5 y la nueva inversión forman parte de una estrategia más amplia de CXMT para ampliar su posición en el mercado mundial de memoria. Reuters situaba a la empresa como el cuarto fabricante mundial de DRAM, por detrás de Samsung Electronics, SK hynix y Micron, con una cuota global del 7,7 % en el momento de su análisis de julio de 2026. La compañía también está ampliando su catálogo más allá de la DRAM convencional. En septiembre anunció la producción en masa de LPDDR6, que debutó en el Xiaomi 18 Fold, mientras que Reuters informó de sus planes para desarrollar una línea de investigación y producción de NAND en Pekín. El contexto internacional añade otra capa a esta expansión. El acceso de China a determinados equipos avanzados para fabricar semiconductores está condicionado por las restricciones de exportación estadounidenses. CXMT está intentando avanzar en tecnologías de memoria más sofisticadas mientras desarrolla una cadena de suministro nacional capaz de proporcionar una parte mayor de las herramientas necesarias para fabricar esos productos. Reuters relacionó expresamente el desarrollo de G5 con la colaboración con fabricantes chinos de equipos. La nueva inversión no demuestra por sí misma que CXMT pueda sustituir todos los equipos extranjeros en los procesos más avanzados. Sí muestra, en cambio, el volumen de capital que la compañía está dispuesta a dedicar a ampliar su capacidad tecnológica y su infraestructura de producción y pruebas. La combinación de G5, LPDDR5X de 24 Gb, nuevas instalaciones y una mayor apuesta por proveedores nacionales sitúa a CXMT en una fase distinta de su expansión. El fabricante ya no está centrado únicamente en aumentar el volumen de DRAM existente: está intentando desarrollar nuevas generaciones de proceso mientras construye alrededor de ellas una cadena industrial con mayor participación de proveedores chinos. ## Preguntas frecuentes ### ¿Cuánto invertirá CXMT en su nueva expansión? CXMT prevé invertir 34.900 millones de yuanes, aproximadamente 5.200 millones de dólares, repartidos entre un proyecto de I+D tecnológico de 24.100 millones y una segunda fase de instalaciones de pruebas de obleas de 10.800 millones de yuanes. ### ¿Qué es la plataforma G5 de CXMT? Es la quinta generación de tecnología DRAM de CXMT, que la compañía anunció como producción masiva en septiembre de 2026. Utiliza SAQP para alcanzar un *active-area half-pitch* de 11,95 nm y añade otras mejoras de proceso destinadas a aumentar la densidad de memoria. ### ¿Qué capacidad tienen los nuevos chips LPDDR5X? Los dos nuevos productos LPDDR5X de G5 ofrecen 24 Gb por dado y utilizan encapsulados de 496 y 245 bolas. CXMT afirma que ambos están en producción masiva para smartphones y dispositivos electrónicos portátiles. ### ¿CXMT fabricará todos los equipos con proveedores chinos? La información disponible indica que la compañía busca dar un peso importante a proveedores nacionales. La fuente citada por *South China Morning Post* habla de una preferencia por fabricantes chinos de equipos, mientras que la documentación financiera confirma el enorme presupuesto destinado a maquinaria, pero no identifica públicamente todos los proveedores ni permite afirmar que la sustitución de equipos extranjeros sea completa.