--- title: "Corea del Sur alerta del avance de China: un año en NAND y dos en DRAM" description: "La industria china de memoria está reduciendo con rapidez la distancia tecnológica respecto a los fabricantes surcoreanos. Según la Korea Semiconductor Industry Association (KSIA), la brecha se ha red..." url: https://revistacloud.com/corea-del-sur-alerta-del-avance-de-china-un-ano-en-nand-y-dos-en-dram/ date: 2026-09-16 modified: 2026-09-16 author: "Antonio" image: https://revistacloud.com/wp-content/uploads/2026/09/south-korea-china-memory.jpg categories: ["Noticias"] tags: ["china", "Corea del Sur", "DRAM", "HBM", "memoria", "NAND"] type: post lang: es --- # Corea del Sur alerta del avance de China: un año en NAND y dos en DRAM La industria china de memoria está reduciendo con rapidez la distancia tecnológica respecto a los fabricantes surcoreanos. Según la Korea Semiconductor Industry Association (KSIA), la brecha se ha reducido a aproximadamente **un año en NAND Flash, dos años en DRAM y tres años en HBM**, frente a una diferencia que anteriormente se estimaba en más de cinco años. El avance de YMTC y CXMT llega además en un momento de fuerte demanda de memoria ligada a la inteligencia artificial. **Las claves del avance de China en memoria en 30 segundos** - La KSIA sitúa la brecha tecnológica con China en **1 año para NAND, 2 para DRAM y 3 para HBM**. - **YMTC** ya representa el 14 % de los ingresos mundiales de NAND en el segundo trimestre de 2026 y también alcanzó el tercer puesto por volumen de envíos. - **CXMT** llegó al 10 % del mercado DRAM por ingresos en ese trimestre, frente al 4 % un año antes. - CXMT ha iniciado la producción masiva de **LPDDR6**, utilizada ya en un teléfono insignia de Xiaomi. - El avance no implica todavía igualdad tecnológica o productiva: especialmente en HBM, el rendimiento de fabricación sigue siendo una limitación. ## YMTC y CXMT están recortando distancias a gran velocidad La referencia de la KSIA no significa que China tenga actualmente la misma tecnología que Samsung, SK hynix o Micron. Habla de **generaciones tecnológicas de diferencia**, una métrica que permite medir cuánto tiempo separa aproximadamente a los fabricantes chinos de sus rivales en determinadas categorías. La diferencia es especialmente llamativa en NAND Flash. Según la información difundida a partir de los datos de la asociación coreana, Samsung y SK hynix comenzaron a producir NAND de alrededor de 300 capas durante 2025, mientras YMTC trabajaba con productos de unas 270 capas. La hoja de ruta citada apunta a que YMTC podría alcanzar unas 400 capas en 2027. Esa cifra es una previsión de evolución tecnológica, no una capacidad disponible actualmente. Además, la cifra de capas no permite por sí sola determinar qué memoria es técnicamente superior. También importan la densidad por oblea, la velocidad de interfaz, el consumo, el rendimiento de fabricación, la tasa de chips válidos y el coste por bit. YMTC ya ha demostrado, en cualquier caso, que puede competir en volumen: Counterpoint Research le atribuye un **14 % de los envíos mundiales de NAND en el segundo trimestre de 2026**, suficiente para superar a Kioxia y entrar en el top 3. En términos de ingresos, [Counterpoint](https://counterpointresearch.com/en/insights/global-nand-memory-market-share) también sitúa a YMTC en el 14 % del mercado NAND durante ese trimestre. Samsung tenía un 28 %, SK hynix un 19 %, Micron un 15 % y Kioxia un 14 %. El dato resulta relevante porque muestra que el avance de YMTC ya no depende únicamente de una expansión de capacidad futura. La compañía está aumentando su presencia en un mercado mundial que atraviesa una fuerte tensión entre oferta y demanda. La inteligencia artificial está detrás de una parte importante de ese cambio. Counterpoint calcula que los SSD empresariales ya representaron el **48 % de los bits NAND enviados en el segundo trimestre de 2026**, frente al 26 % de un año antes. El crecimiento de los servidores de IA está desplazando una parte creciente de la producción hacia almacenamiento empresarial de mayor capacidad. ## CXMT avanza en DRAM y ya produce LPDDR6 La otra pieza es CXMT, especializada principalmente en DRAM. Aquí la evolución también está siendo rápida. Los datos de Counterpoint muestran que CXMT alcanzó un **10 % del mercado mundial de DRAM por ingresos en el segundo trimestre de 2026**, frente al 4 % del mismo trimestre de 2025. Samsung tenía un 38 %, SK hynix un 25 % y Micron un 24 %. El crecimiento de CXMT no se limita a aumentar la producción de generaciones anteriores. La compañía anunció el 7 de septiembre que su **LPDDR6 había entrado en producción masiva** y que debutaba comercialmente en el Xiaomi 18 Fold. CXMT especifica una capacidad de 16 GB y una velocidad máxima de 12.800 Mbps, aunque también aclara que sus cifras de rendimiento proceden de pruebas internas. La evolución resulta especialmente relevante porque la memoria LPDDR se utiliza en dispositivos móviles y otros sistemas donde importan tanto el ancho de banda como el consumo energético. La llegada de CXMT a LPDDR6 amplía, por tanto, el número de segmentos en los que puede competir. Pero producción masiva no significa automáticamente que CXMT haya alcanzado a Samsung o SK hynix en todas las dimensiones. La capacidad disponible, el rendimiento de las obleas, la consistencia de fabricación y la homologación por parte de grandes clientes son variables tan importantes como la generación comercial del chip. ### HBM sigue siendo el terreno más difícil La situación cambia cuando se llega a **HBM**, la memoria de alto ancho de banda utilizada junto a aceleradores de inteligencia artificial. La KSIA sitúa todavía en unos **tres años** la diferencia tecnológica entre China y Corea del Sur en HBM. CXMT ha comenzado a avanzar hacia HBM3E, pero las informaciones disponibles señalan problemas de rendimiento durante las primeras fases de fabricación. Wccftech, citando la información asociada a la KSIA, habla de un rendimiento cercano al 25 % y de dificultades relacionadas con los TSV, las conexiones verticales que unen las diferentes capas de una pila HBM. Este punto es importante porque HBM no consiste simplemente en fabricar una DRAM más rápida. Hay que producir matrices de memoria suficientemente buenas, procesarlas, realizar las conexiones verticales, apilar los chips, controlar el consumo y la temperatura y superar posteriormente las pruebas de validación de los clientes. Por eso la distancia tecnológica de tres años en HBM no contradice el avance de CXMT en DRAM convencional o LPDDR6. Son productos con requisitos de fabricación y empaquetado diferentes. También explica por qué el avance chino no garantiza por sí mismo una caída inmediata de los precios de la memoria. La oferta adicional puede aumentar la competencia, pero el impacto depende de **cuánta capacidad nueva llegue al mercado, qué productos pueda fabricar cada empresa, con qué rendimiento y a qué coste**. El mercado continúa además bajo presión. Counterpoint registró en el segundo trimestre un fuerte crecimiento tanto de DRAM como de NAND, mientras que la demanda asociada a infraestructura de inteligencia artificial sigue absorbiendo una parte importante de la producción. En NAND, los precios subieron un 55 % entre el primer y el segundo trimestre de 2026 según sus datos. La fotografía que deja 2026 es, por tanto, más compleja que la de una simple sustitución entre fabricantes. China está recortando distancias con una velocidad que hace unos años parecía improbable, y YMTC ya tiene una posición visible en NAND mientras CXMT gana cuota en DRAM. Pero HBM continúa siendo una barrera tecnológica mayor y la capacidad de producción, los rendimientos y la homologación comercial determinarán cuánto de ese avance se traduce realmente en memoria disponible para fabricantes de PC, móviles, servidores y aceleradores de IA.