--- title: "China cambia el enfoque para alcanzar a ASML en la carrera por la litografía EUV" description: "China está intentando reducir su dependencia de ASML en la fabricación de semiconductores avanzados y uno de los frentes más importantes ya no está únicamente en construir una máquina de litografía co..." url: https://revistacloud.com/china-cambia-el-enfoque-para-alcanzar-a-asml-en-la-carrera-por-la-litografia-euv/ date: 2026-09-28 modified: 2026-09-28 author: "Silvia A. Feliz" image: https://revistacloud.com/wp-content/uploads/2024/02/ASML_Containers_RZY_VRR_AKP_8_May2021.jpg categories: ["Noticias", "Tecnología"] tags: ["ASML", "china", "EUV", "litografía EUV"] type: post lang: es --- # China cambia el enfoque para alcanzar a ASML en la carrera por la litografía EUV China está intentando reducir su dependencia de ASML en la fabricación de semiconductores avanzados y uno de los frentes más importantes ya no está únicamente en construir una máquina de litografía completa, sino en resolver uno de sus componentes más difíciles: la fuente de luz ultravioleta extrema (EUV). Los avances de varios equipos chinos apuntan a distintas arquitecturas para generar esta luz, aunque todavía existe una distancia importante respecto a las prestaciones necesarias para fabricar chips a escala comercial. **Las claves de la carrera china por la litografía EUV en 30 segundos** - ASML mantiene el liderazgo comercial en litografía EUV, utilizada para fabricar los chips más avanzados. - China está desarrollando distintas tecnologías para generar la luz EUV de 13,5 nanómetros. - Equipos de investigación chinos trabajan con fuentes basadas en plasma generado por láser y otras arquitecturas. - Las fuentes chinas analizadas alcanzan actualmente entre 100 y 150 vatios, frente a los 600 vatios de referencia comercial de ASML. - ASML ha demostrado una fuente de 1.000 vatios, lo que mantiene una distancia tecnológica relevante. La carrera por la EUV tiene una particularidad: el problema no consiste simplemente en construir una máquina que proyecte luz sobre una oblea. La longitud de onda de 13,5 nanómetros utilizada por la EUV obliga a trabajar con una combinación extremadamente compleja de fuente de luz, óptica, vacío, control de precisión y materiales. China lleva años desarrollando capacidades propias para reducir esa dependencia. Las restricciones internacionales han impedido a sus fabricantes acceder a los sistemas EUV comerciales de ASML, por lo que la industria china ha tenido que desarrollar alternativas en paralelo. Los avances recientes sugieren que la estrategia está poniendo un foco especial en la fuente de luz. Pero alcanzar una demostración de laboratorio no equivale todavía a disponer de una herramienta capaz de producir chips en grandes volúmenes. ## La fuente de luz es uno de los grandes obstáculos de la EUV La litografía EUV utiliza luz con una longitud de onda de 13,5 nanómetros para imprimir estructuras extremadamente pequeñas sobre las obleas de silicio. A diferencia de otras tecnologías de litografía, esa luz no puede generarse simplemente con una lámpara convencional. ASML utiliza una arquitectura basada en **plasma producido por láser (LPP)**. El sistema dispara pulsos láser contra diminutas gotas de estaño en condiciones de vacío para generar un plasma que emite radiación EUV. La compañía explica que sus fuentes comerciales actuales repiten este proceso decenas de miles de veces por segundo. El desarrollo de esa fuente fue uno de los problemas que más tiempo llevó resolver a ASML. La compañía comenzó su programa EUV hace más de dos décadas y necesitó avanzar progresivamente desde fuentes de muy baja potencia hasta sistemas capaces de funcionar en producción industrial. ASML alcanzó los 250 vatios en 2018, un nivel que permitió llegar a una producción de alrededor de 125 obleas por hora. Posteriormente desarrolló fuentes de 500 vatios y en 2025 demostró una fuente de 1.000 vatios. La compañía considera que esta última todavía requiere trabajo antes de convertirse en una fuente comercial, pero la demostración muestra el margen de evolución de su arquitectura. Ese historial permite entender la dificultad a la que se enfrenta China. ### Dos caminos para generar luz EUV Los equipos chinos están investigando diferentes aproximaciones. Según un análisis publicado por The Diplomat, investigadores del Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics y del Harbin Institute of Technology han avanzado en prototipos de fuentes EUV utilizando métodos diferentes. Una de las líneas trabaja con plasma generado mediante láser. Otra explora una arquitectura basada en descarga asistida por láser. Ambas buscan resolver el mismo problema: producir suficiente radiación EUV útil a 13,5 nanómetros y hacerlo con una eficiencia y estabilidad compatibles con una máquina de fabricación. Los resultados publicados en 2026 también muestran que la investigación china está avanzando en la física de estas fuentes. Un trabajo de investigadores vinculados a Shanghai Jiao Tong University demostró la generación de radiación EUV a 13,5 nanómetros utilizando un láser de estado sólido de 2 micras para excitar plasma de estaño. El estudio registró una eficiencia de conversión eléctrica a EUV de aproximadamente 0,3 % en el experimento descrito. Otra investigación publicada en agosto por científicos del Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics aborda específicamente el control de disparo del láser sobre las gotas utilizadas en una fuente EUV basada en plasma. Estos trabajos son indicios de actividad científica y de ingeniería, pero no demuestran por sí solos la existencia de una fuente comercial comparable con la de ASML. ## El salto entre un prototipo y una fábrica sigue siendo grande Los datos disponibles muestran precisamente dónde está la dificultad. The Diplomat sitúa la potencia de las fuentes chinas analizadas en torno a **100-150 vatios**, todavía por debajo de los 250 vatios que ASML alcanzó en 2017 y muy lejos de los 600 vatios de sus fuentes comerciales actuales. La potencia tampoco es el único problema. La eficiencia de conversión, la estabilidad del plasma, la frecuencia de los pulsos, el control de las gotas de estaño, la contaminación y la capacidad de mantener el sistema funcionando durante largos periodos son factores determinantes. Una fuente puede generar radiación EUV en un laboratorio y, al mismo tiempo, ser incapaz de proporcionar la estabilidad y el rendimiento necesarios para fabricar millones de chips. Ese es el principal matiz de la carrera tecnológica. **Generar EUV no significa haber construido una máquina EUV industrial.** China también necesita resolver el resto del sistema. La luz debe llegar a la oblea mediante una óptica extremadamente precisa porque la radiación EUV es absorbida por prácticamente todos los materiales. ASML utiliza espejos multicapa fabricados con una precisión extrema y trabaja con ZEISS en este componente. El escáner completo necesita además etapas de movimiento, sistemas de vacío, control electrónico, metrología, software y miles de componentes especializados. ## La estrategia china también pasa por DUV El desarrollo de EUV no es el único frente. China está avanzando simultáneamente en equipos de litografía ultravioleta profunda (DUV), una generación anterior pero todavía fundamental para buena parte de la fabricación de chips. Reuters informó en julio de que China había comenzado a producir máquinas DUV de inmersión desarrolladas internamente. Los primeros volúmenes previstos eran reducidos, alrededor de cinco sistemas en 2026 y unos 20 en 2027, y las máquinas todavía estaban por detrás de las de ASML en rendimiento y fiabilidad. La estrategia tiene una lógica industrial. Incluso sin disponer de EUV, los fabricantes chinos pueden utilizar DUV y técnicas como el multipatterning para fabricar determinados chips avanzados, aunque con mayores costes y una productividad inferior. Construir una industria doméstica de DUV también permite desarrollar proveedores, sistemas ópticos, láseres, etapas de precisión y capacidades de integración que pueden resultar útiles para una futura plataforma EUV. Por eso el desarrollo de la fuente de luz debe interpretarse como una pieza de una estrategia mucho más amplia de autosuficiencia tecnológica. ## ASML sigue aumentando la capacidad de sus fuentes Mientras China trabaja para cerrar las brechas tecnológicas, ASML continúa desarrollando su propia plataforma EUV. La compañía demostró en 2025 una fuente de 1.000 vatios y ha explicado que el aumento de potencia permite incrementar el número de obleas procesadas por hora. En febrero de 2026, Reuters informó de que ASML espera que futuras mejoras permitan alcanzar alrededor de 330 obleas por hora en 2030, frente a unas 220 en generaciones actuales, aunque se trata de objetivos tecnológicos de la compañía. Además, ASML y TSMC están preparando la transición hacia fotomáscaras de 12 pulgadas para los sistemas High-NA EUV. La iniciativa contempla una línea piloto en 2031 y sistemas preparados para producción avanzada a partir de 2033. Samsung también se ha incorporado a esta iniciativa y prevé utilizar High-NA EUV en futuras generaciones de fabricación de DRAM. El contraste muestra que la carrera no se limita a que China consiga fabricar su primera fuente EUV. Mientras los programas chinos intentan alcanzar una capacidad industrial inicial, ASML y sus clientes ya trabajan en la siguiente generación de la tecnología. China, por tanto, está construyendo una ruta propia hacia la EUV con especial atención a la fuente de luz, pero los datos disponibles todavía describen una fase de investigación y prototipado. El paso decisivo será demostrar que esas fuentes pueden funcionar con suficiente potencia, eficiencia, estabilidad y fiabilidad dentro de una máquina completa y durante una producción industrial sostenida. ## Preguntas frecuentes ### ¿Por qué la fuente de luz es tan importante en una máquina EUV? Porque la litografía EUV necesita generar radiación de 13,5 nanómetros con suficiente potencia y estabilidad para imprimir circuitos sobre obleas de silicio a escala industrial. Es uno de los componentes tecnológicos más difíciles del sistema. ### ¿China ya tiene una máquina EUV comercial? Los datos disponibles no muestran que China disponga todavía de una máquina EUV comercial comparable a las de ASML. El desarrollo chino continúa en fase de prototipos y experimentación. ### ¿Qué potencia alcanzan las fuentes EUV chinas? Las fuentes descritas en análisis recientes se sitúan aproximadamente entre 100 y 150 vatios, aunque las cifras corresponden a diferentes líneas de investigación y no representan una única plataforma comercial china. ### ¿Qué potencia ha alcanzado ASML? ASML alcanzó los 250 vatios en 2018, posteriormente desarrolló fuentes de 500 vatios y demostró una fuente de 1.000 vatios en 2025. La compañía señala que la fuente de 1.000 vatios todavía requiere desarrollo antes de convertirse en un producto comercial.